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3D 存算一體芯片企業謙合益邦宣佈，其自研的全球首款 4 層 3D DRAM 堆疊存算一體芯片成功回片並點亮，標誌該技術從驗證邁入工程落地階段。該芯片採用三維集成原生計算架構，數據訪存帶寬較傳統方案提升一個數量級，訪存功耗、延時及單次數據處理成本均下降一個數量級。謙合益邦成立於 2024 年 1 月，由網易孵化，近期完成超 20 億元 B 輪融資。
據官方公告，Bitget 股票永續合約已上線 CXMT（長鑫存儲）。該合約以 USDT 結算，支持最高 20 倍槓桿及 7×24 小時交易。截至目前，Bitget 共支持 273 只股票合約標的。
據官方公告，幣安合約平臺將於 2026年 8月 17 日至 18 日陸續上線 6 個傳統金融標的 USDT 永續合約，具體如下： • GDXUSDT（標的：VanEck 黃金礦業 ETF）— 8月 17日 13:30 UTC • NETUSDT（標的：Cloudflare A 類普通股）— 8月 17日 13:35 UTC • VSTUSDT（標的：Vistra Corp 普通股）— 8月 17日 13:40 UTC • SHOPUSDT（標的：Shopify A 類股）— 8月 17日 13:45 UTC • LYTEUSDT（標的：Roundhill 光子與光學 ETF）— 8月 17日 13:50 UTC • CXMTUSDT（標的：長鑫存儲，上交所 688825）— 8月 18日 05:00 UTC 上述合約均支持最高 20 倍槓桿、24/7 全天候交易及多資產模式，資金費率每 8 小時結算一次，上限爲±2%。
據韓媒NATE報道，受AI投資熱潮推動，SK海力士股價近期經歷劇烈波動。在市場波動加劇背景下，SK集團發佈廣告引用創始人崔鍾賢（최종건）的名言：“絕望與希望是一枚硬幣的兩面，可以像翻轉手掌一樣將絕望轉變爲希望”並將其改寫爲“AI時代的不安與期待也是硬幣的兩面，可以將不安轉變爲期待”，藉此傳遞對AI產業長期發展的信心。 證券機構認爲，短期股價波動並未改變SK海力士的基本面，市場應關注其HBM4技術領先優勢以及長期供貨協議（LTA）帶來的業績穩定性。現代汽車證券分析師盧根昌（노근창）表示，預計SK海力士第三季度DRAM和NAND比特增長率分別達到9.7%和1.5%，隨着HBM4銷售貢獻擴大，即使長期供貨協議佔比提升，DRAM平均售價（ASP）仍有望環比上漲19.9%。針對中國長鑫存儲（CXMT）帶來的競爭擔憂，盧根昌認爲考慮到美國持續強化半導體設備出口限制，以及美光擴大美國本土投資，蘋果等主要企業採用中國存儲芯片的可能性較低。
據潮向研究，摩根士丹利 8 月最新研報指出，三季度 DRAM 合約價環比漲幅從預期的 20%回落至 15%，存儲器模塊庫存升至 12.5 周，中國消費電子需求出現疲軟信號。但大摩認爲這只是正常週期放緩，不是趨勢轉折。四大雲廠商 capex 增速從 14%上調至 29%，AI 需求仍強勁。三星目標將 60%到 70%產能置於長期協議下，SK 海力士已與約 10 家客戶完成 LTA 談判，美光 16 份協議覆蓋約 1000 億美元最低收入。 大摩對三星和 SK 海力士維持超配，目標價分別爲 38.1 萬韓元和 260 萬韓元，隱含 74%到 84%上行空間。三星當前股價對應 2026 年預期市盈率約 5 倍，SK 海力士約 5.8 倍。大摩認爲 LTA 正在改變行業盈利可見度，市場尚未對 LTA 支持的盈利賦予溢價，若 LTAs 驗證下行保護作用，存儲器估值體系可能重塑。
英偉達爲應對 HBM 內存供應短缺，考慮降低新一代 Rubin Ultra GPU 的配置。據 The Information 援引知情人士消息，英偉達內部在過去數週至少測試了 3 種低 HBM 配置的 Rubin Ultra GPU，所需 HBM 容量低於最初公佈規格。可能的降級路徑包括從 HBM4E 下調至 HBM4、從 12Hi HBM 下調至 8Hi HBM。此舉旨在在供應約束下推進產品發佈計劃。
SK 海力士與閃迪公開基於 NAND 閃存的下一代存儲技術高帶寬閃存（HBF）首個標準規格。SK 海力士於 8 月 4 日至 6 日在美國加州聖克拉拉舉行的 FMS 2026 上提出該規格。HBF 通過類似高帶寬內存（HBM）的垂直堆疊方式堆疊 NAND 閃存，以提升容量和數據傳輸速度。該規格按 8 層和 16 層 NAND die 兩種堆疊配置定義，容量最高 512GB，帶寬分三檔，支持每秒 0.4TB 至 3.0TB。HBF 與處理器的連接方式採用行業標準 UCIe，可連接 GPU、CPU 等不同類型處理器。該規格通過開放數據中心技術協作組織 OCP 公開，HBF 聯盟目前包括 Google 和 AI 半導體公司 Tenstorrent。SK 海力士還將在本次活動首次公開開發中的第 10 代（V10）375 層 4D NAND 晶圓和產品，並計劃明年初啓動採用該技術的高性能、高容量企業級 SSD（eSSD）量產。
據路透社報道，知情人士透露，長鑫存儲正考慮在北京亦莊建設第二座 12 英寸 DRAM 晶圓廠，並與北京經開區及多家國有科技企業洽談融資支持。目前談判仍處於早期階段，融資規模和結構尚未最終確定。擬建項目或落地於公司現有北京廠區，但產能規劃及總投資金額暫未披露。
“白毛股神”Serenity 發文稱，Lumentum CEO Michael Hurlston 已發出警告，面向 AI 數據中心的磷化銦（InP）激光器供應鏈正面臨比存儲芯片更嚴重的供應缺口。即使依靠 Lumentum 旗下 5 座 InP 晶圓廠，產品出貨量仍可能比客戶需求低 30%以上，顯示 AI 基礎設施擴張正在遭遇關鍵光通信組件瓶頸。Serenity 指出，目前供應壓力主要集中在 EML（電吸收調製激光器）領域，但 InP 激光器短缺問題也可能持續蔓延。自己長期看好光通信激光器供應鏈中的“瓶頸投資”機會，關注包括 Applied Optoelectronics（AAOI）、Sivers Semiconductors（SIVE）、Lumentum（LITE）以及 Coherent（COHR）在內的相關企業，隨着 AI 數據中心資本開支持續增加，過去被市場低估的光模塊、激光器等基礎設施環節正迎來重新定價，而 InP 激光器供應瓶頸可能成爲 AI 算力擴張過程中的關鍵限制因素。
阿里雲 PolarDB 與 MemTensor 聯合推出一站式 AI 內存解決方案，主打持久化、高可用的 AI 記憶能力。 該方案在單個 PolarDB-PG 實例中整合關係型檢索、向量檢索（PGVector）與圖檢索（PolarAGE）三種能力，P99 延遲最高降低 89.2%。MemTensor 將其定位爲 MemOS 持久內存層，強調永不宕機。 此次合作將數據庫基礎設施與 AI 記憶管理直接結合，面向需要長上下文或持久狀態管理的 AI 應用場景。
據 The Information 援引知情人士消息，一家獲中國國有資本支持的企業已開始量產自主研發的 DUV（深紫外）光刻機制造設備，這是中國半導體產業推進國產化替代的重要進展。據悉，該企業計劃於 2026 年生產約 5 臺 DUV 光刻機，並在 2027 年擴大至約 20 臺。雖然與荷蘭光刻機巨頭 ASML 的產能仍存在差距（ASML 去年交付 131 套浸沒式 DUV 光刻系統），但國產 DUV 設備突破量產意味着中國芯片製造供應鏈進一步向自主可控邁進。消息人士稱，這批國產 DUV 光刻機計劃交付給中國主要芯片製造商，包括中芯國際、華虹半導體以及存儲芯片廠商長鑫存儲。其中，長鑫存儲作爲中國 DRAM 產業代表企業，預計將成爲國產先進半導體制造設備的重要應用方。若國產 DUV 設備能夠在長鑫存儲等廠商產線中實現穩定運行，將進一步降低中國存儲芯片產業對海外關鍵設備的依賴。
據官方消息，Bybit 已上線 CXMTUSDT 永續合約，最高支持 10 倍槓桿。CXMT（長鑫存儲科技）是中國大陸 DRAM 內存芯片領域的龍頭企業，A 股存儲板塊核心標的。
trade.xyz 在 X 平臺發文表示，長鑫存儲已轉爲標準 XYZ 永續合約，支持 10 倍槓桿，並可 7×24 小時交易。
據潮向研究，伯恩斯坦最新發布內存 LTA 系列報告第三篇，認爲市場擔憂 LTAs 再度淪爲 "廢紙" 的判斷或存在偏差。新一代 LTAs 採用後端加權保證金結構，客戶違約成本隨合同推進遞增，核心保護價值集中在合同後半段，恰好對應行業下行週期。
長鑫科技發佈首次公開發行股票並在科創板上市的網下初步配售結果及網上中籤結果公告，宣佈本次發行戰略配售的繳款及配售工作已結束，本次發行的參與戰略配售的投資者均按承諾參與了本次發行的戰略配售，本次發行初始戰略配售數量爲 334,404.4304 萬股，佔初始發行數量的 50.00%，約佔超額配售選擇權全額行使後發行總股數的 43.48%，參與戰略配售的投資者承諾的認購資金已於規定時間內足額匯至中金公司指定的銀行賬戶。戰略配售回撥後、網上網下回撥機制啓動前，超額配售啓用後，網上初始發行數量爲 334,900.1000 萬股，約佔超額配售選擇權行使後扣除最終戰略配售數量後本次發行數量的 55.59%。
據科創板日報報道，美光宣佈，已與高通、偉世通、哈曼、均聯智行、電裝、安斯泰莫和現代摩比斯等支撐汽車生態系統的關鍵技術供應商簽訂了戰略客戶協議 (SCA)。據悉，這些協議屬於美光在 2026 財年第三季度財務電話會議上提到的 SCA。通過提高供應和定價的確定性，相關協議將支持對未來汽車平臺所需的技術開發、認證和製造能力的投資，有助於確保先進的汽車平臺擁有提供更豐富、更安全、更智能體驗所需的內存和存儲能力。
據市場分析，長鑫科技本次發行價格爲 8.66 元/股，若中籤，一簽爲 500 股，需繳款 4330 元。在保守、中性、樂觀、超樂觀四種估值情景下，對應長鑫科技估值爲 1 萬億元、1.5 萬億元、2.3 萬億元和 4.25 萬億元。基於上述預估的 1 萬億元-4 萬億元市值區間，對應上市後首日漲幅落在 70%-600%區間。對比 8.66 元的發行價，中一簽的盈利空間大約在 3000 元至 2.6 萬元之間。此外，長鑫科技還宣佈，此次募集資金將全額投向三大存儲國產替代項目，分別爲 12 英寸 DRAM 晶圓產線升級改造、HBM 與車規存儲技術升級、下一代存儲前瞻技術研發。（新浪財經）
據財聯社報道，若在長鑫科技本次發行中籤，一簽爲 500 股，需繳款 4330 元。在保守、中性、樂觀、超樂觀四種估值情景下，對應長鑫科技估值爲 1 萬億元、1.5 萬億元、2.3 萬億元和 4.25 萬億元。基於上述預估的 1 萬億元-4 萬億元市值區間，對應上市後首日漲幅落在 70%-600%區間。對比 8.66 元的發行價，中一簽的盈利空間大約在 3000 元至 2.6 萬元之間。 此外，長鑫科技還宣佈，此次募集資金將全額投向三大存儲國產替代項目，分別爲 12 英寸 DRAM 晶圓產線升級改造、HBM 與車規存儲技術升級、下一代存儲前瞻技術研發。
據新浪財經報道，美國國際貿易委員會 (ITC) 投票決定對特定動態隨機存取存儲器 (DRAM) 設備及其下游產品和組件 (II)(Certain Dynamic Random Access Memory (DRAM) Devices, Products Containing the Same, and Components Thereof (II))啓動 337 調查(調查編碼：337-TA-1511)。主張對美出口、在美進口和在美銷售的該產品違反了美國 337 條款(侵權美國註冊專利號 12,646,537、12,650,937 )，請求美國 ITC 發佈有限排除令、禁止令。 韓國 Samsung Electronics Co., Ltd., Suwon, Republic of Korea、美國 Samsung Electronics America, Inc., Plano, Texas、美國 Samsung Semiconductor, Inc., Plano, Texas、美國 Google LLC, Mountain View, California、美國 Super Mi
據官方公告，Coinbase 將上線 Roundhill Memory ETF(DRAM) 和Direxion Daily Semiconductor Bull 3X Shares ETF (SOXL) 的永續合約，DRAM-PERP和 SOXL-PERP 市場將於 2026年 7月 16日 17:00（UTC+8）起或之後開放交易。