同时关联该项目与事件的快讯
据官方公告，Bitget 股票永续合约已上线 CXMT（长鑫存储）。该合约以 USDT 结算，支持最高 20 倍杠杆及 7×24 小时交易。截至目前，Bitget 共支持 273 只股票合约标的。
据官方公告，币安合约平台将于 2026年 8月 17 日至 18 日陆续上线 6 个传统金融标的 USDT 永续合约，具体如下： • GDXUSDT（标的：VanEck 黄金矿业 ETF）— 8月 17日 13:30 UTC • NETUSDT（标的：Cloudflare A 类普通股）— 8月 17日 13:35 UTC • VSTUSDT（标的：Vistra Corp 普通股）— 8月 17日 13:40 UTC • SHOPUSDT（标的：Shopify A 类股）— 8月 17日 13:45 UTC • LYTEUSDT（标的：Roundhill 光子与光学 ETF）— 8月 17日 13:50 UTC • CXMTUSDT（标的：长鑫存储，上交所 688825）— 8月 18日 05:00 UTC 上述合约均支持最高 20 倍杠杆、24/7 全天候交易及多资产模式，资金费率每 8 小时结算一次，上限为±2%。
据韩媒NATE报道，受AI投资热潮推动，SK海力士股价近期经历剧烈波动。在市场波动加剧背景下，SK集团发布广告引用创始人崔钟贤（최종건）的名言：“绝望与希望是一枚硬币的两面，可以像翻转手掌一样将绝望转变为希望”并将其改写为“AI时代的不安与期待也是硬币的两面，可以将不安转变为期待”，借此传递对AI产业长期发展的信心。 证券机构认为，短期股价波动并未改变SK海力士的基本面，市场应关注其HBM4技术领先优势以及长期供货协议（LTA）带来的业绩稳定性。现代汽车证券分析师卢根昌（노근창）表示，预计SK海力士第三季度DRAM和NAND比特增长率分别达到9.7%和1.5%，随着HBM4销售贡献扩大，即使长期供货协议占比提升，DRAM平均售价（ASP）仍有望环比上涨19.9%。针对中国长鑫存储（CXMT）带来的竞争担忧，卢根昌认为考虑到美国持续强化半导体设备出口限制，以及美光扩大美国本土投资，苹果等主要企业采用中国存储芯片的可能性较低。
据潮向研究，摩根士丹利 8 月最新研报指出，三季度 DRAM 合约价环比涨幅从预期的 20%回落至 15%，存储器模块库存升至 12.5 周，中国消费电子需求出现疲软信号。但大摩认为这只是正常周期放缓，不是趋势转折。四大云厂商 capex 增速从 14%上调至 29%，AI 需求仍强劲。三星目标将 60%到 70%产能置于长期协议下，SK 海力士已与约 10 家客户完成 LTA 谈判，美光 16 份协议覆盖约 1000 亿美元最低收入。 大摩对三星和 SK 海力士维持超配，目标价分别为 38.1 万韩元和 260 万韩元，隐含 74%到 84%上行空间。三星当前股价对应 2026 年预期市盈率约 5 倍，SK 海力士约 5.8 倍。大摩认为 LTA 正在改变行业盈利可见度，市场尚未对 LTA 支持的盈利赋予溢价，若 LTAs 验证下行保护作用，存储器估值体系可能重塑。
英伟达为应对 HBM 内存供应短缺，考虑降低新一代 Rubin Ultra GPU 的配置。据 The Information 援引知情人士消息，英伟达内部在过去数周至少测试了 3 种低 HBM 配置的 Rubin Ultra GPU，所需 HBM 容量低于最初公布规格。可能的降级路径包括从 HBM4E 下调至 HBM4、从 12Hi HBM 下调至 8Hi HBM。此举旨在在供应约束下推进产品发布计划。
SK 海力士与闪迪公开基于 NAND 闪存的下一代存储技术高带宽闪存（HBF）首个标准规格。SK 海力士于 8 月 4 日至 6 日在美国加州圣克拉拉举行的 FMS 2026 上提出该规格。HBF 通过类似高带宽内存（HBM）的垂直堆叠方式堆叠 NAND 闪存，以提升容量和数据传输速度。该规格按 8 层和 16 层 NAND die 两种堆叠配置定义，容量最高 512GB，带宽分三档，支持每秒 0.4TB 至 3.0TB。HBF 与处理器的连接方式采用行业标准 UCIe，可连接 GPU、CPU 等不同类型处理器。该规格通过开放数据中心技术协作组织 OCP 公开，HBF 联盟目前包括 Google 和 AI 半导体公司 Tenstorrent。SK 海力士还将在本次活动首次公开开发中的第 10 代（V10）375 层 4D NAND 晶圆和产品，并计划明年初启动采用该技术的高性能、高容量企业级 SSD（eSSD）量产。
据路透社报道，知情人士透露，长鑫存储正考虑在北京亦庄建设第二座 12 英寸 DRAM 晶圆厂，并与北京经开区及多家国有科技企业洽谈融资支持。目前谈判仍处于早期阶段，融资规模和结构尚未最终确定。拟建项目或落地于公司现有北京厂区，但产能规划及总投资金额暂未披露。
“白毛股神”Serenity 发文称，Lumentum CEO Michael Hurlston 已发出警告，面向 AI 数据中心的磷化铟（InP）激光器供应链正面临比存储芯片更严重的供应缺口。即使依靠 Lumentum 旗下 5 座 InP 晶圆厂，产品出货量仍可能比客户需求低 30%以上，显示 AI 基础设施扩张正在遭遇关键光通信组件瓶颈。Serenity 指出，目前供应压力主要集中在 EML（电吸收调制激光器）领域，但 InP 激光器短缺问题也可能持续蔓延。自己长期看好光通信激光器供应链中的“瓶颈投资”机会，关注包括 Applied Optoelectronics（AAOI）、Sivers Semiconductors（SIVE）、Lumentum（LITE）以及 Coherent（COHR）在内的相关企业，随着 AI 数据中心资本开支持续增加，过去被市场低估的光模块、激光器等基础设施环节正迎来重新定价，而 InP 激光器供应瓶颈可能成为 AI 算力扩张过程中的关键限制因素。
阿里云 PolarDB 与 MemTensor 联合推出一站式 AI 内存解决方案，主打持久化、高可用的 AI 记忆能力。 该方案在单个 PolarDB-PG 实例中整合关系型检索、向量检索（PGVector）与图检索（PolarAGE）三种能力，P99 延迟最高降低 89.2%。MemTensor 将其定位为 MemOS 持久内存层，强调永不宕机。 此次合作将数据库基础设施与 AI 记忆管理直接结合，面向需要长上下文或持久状态管理的 AI 应用场景。
据 The Information 援引知情人士消息，一家获中国国有资本支持的企业已开始量产自主研发的 DUV（深紫外）光刻机制造设备，这是中国半导体产业推进国产化替代的重要进展。据悉，该企业计划于 2026 年生产约 5 台 DUV 光刻机，并在 2027 年扩大至约 20 台。虽然与荷兰光刻机巨头 ASML 的产能仍存在差距（ASML 去年交付 131 套浸没式 DUV 光刻系统），但国产 DUV 设备突破量产意味着中国芯片制造供应链进一步向自主可控迈进。消息人士称，这批国产 DUV 光刻机计划交付给中国主要芯片制造商，包括中芯国际、华虹半导体以及存储芯片厂商长鑫存储。其中，长鑫存储作为中国 DRAM 产业代表企业，预计将成为国产先进半导体制造设备的重要应用方。若国产 DUV 设备能够在长鑫存储等厂商产线中实现稳定运行，将进一步降低中国存储芯片产业对海外关键设备的依赖。
据官方消息，Bybit 已上线 CXMTUSDT 永续合约，最高支持 10 倍杠杆。CXMT（长鑫存储科技）是中国大陆 DRAM 内存芯片领域的龙头企业，A 股存储板块核心标的。
trade.xyz 在 X 平台发文表示，长鑫存储已转为标准 XYZ 永续合约，支持 10 倍杠杆，并可 7×24 小时交易。
据潮向研究，伯恩斯坦最新发布内存 LTA 系列报告第三篇，认为市场担忧 LTAs 再度沦为 "废纸" 的判断或存在偏差。新一代 LTAs 采用后端加权保证金结构，客户违约成本随合同推进递增，核心保护价值集中在合同后半段，恰好对应行业下行周期。
长鑫科技发布首次公开发行股票并在科创板上市的网下初步配售结果及网上中签结果公告，宣布本次发行战略配售的缴款及配售工作已结束，本次发行的参与战略配售的投资者均按承诺参与了本次发行的战略配售，本次发行初始战略配售数量为 334,404.4304 万股，占初始发行数量的 50.00%，约占超额配售选择权全额行使后发行总股数的 43.48%，参与战略配售的投资者承诺的认购资金已于规定时间内足额汇至中金公司指定的银行账户。战略配售回拨后、网上网下回拨机制启动前，超额配售启用后，网上初始发行数量为 334,900.1000 万股，约占超额配售选择权行使后扣除最终战略配售数量后本次发行数量的 55.59%。
据科创板日报报道，美光宣布，已与高通、伟世通、哈曼、均联智行、电装、安斯泰莫和现代摩比斯等支撑汽车生态系统的关键技术供应商签订了战略客户协议 (SCA)。据悉，这些协议属于美光在 2026 财年第三季度财务电话会议上提到的 SCA。通过提高供应和定价的确定性，相关协议将支持对未来汽车平台所需的技术开发、认证和制造能力的投资，有助于确保先进的汽车平台拥有提供更丰富、更安全、更智能体验所需的内存和存储能力。
据市场分析，长鑫科技本次发行价格为 8.66 元/股，若中签，一签为 500 股，需缴款 4330 元。在保守、中性、乐观、超乐观四种估值情景下，对应长鑫科技估值为 1 万亿元、1.5 万亿元、2.3 万亿元和 4.25 万亿元。基于上述预估的 1 万亿元-4 万亿元市值区间，对应上市后首日涨幅落在 70%-600%区间。对比 8.66 元的发行价，中一签的盈利空间大约在 3000 元至 2.6 万元之间。此外，长鑫科技还宣布，此次募集资金将全额投向三大存储国产替代项目，分别为 12 英寸 DRAM 晶圆产线升级改造、HBM 与车规存储技术升级、下一代存储前瞻技术研发。（新浪财经）
据财联社报道，若在长鑫科技本次发行中签，一签为 500 股，需缴款 4330 元。在保守、中性、乐观、超乐观四种估值情景下，对应长鑫科技估值为 1 万亿元、1.5 万亿元、2.3 万亿元和 4.25 万亿元。基于上述预估的 1 万亿元-4 万亿元市值区间，对应上市后首日涨幅落在 70%-600%区间。对比 8.66 元的发行价，中一签的盈利空间大约在 3000 元至 2.6 万元之间。 此外，长鑫科技还宣布，此次募集资金将全额投向三大存储国产替代项目，分别为 12 英寸 DRAM 晶圆产线升级改造、HBM 与车规存储技术升级、下一代存储前瞻技术研发。
据新浪财经报道，美国国际贸易委员会 (ITC) 投票决定对特定动态随机存取存储器 (DRAM) 设备及其下游产品和组件 (II)(Certain Dynamic Random Access Memory (DRAM) Devices, Products Containing the Same, and Components Thereof (II))启动 337 调查(调查编码：337-TA-1511)。主张对美出口、在美进口和在美销售的该产品违反了美国 337 条款(侵权美国注册专利号 12,646,537、12,650,937 )，请求美国 ITC 发布有限排除令、禁止令。 韩国 Samsung Electronics Co., Ltd., Suwon, Republic of Korea、美国 Samsung Electronics America, Inc., Plano, Texas、美国 Samsung Semiconductor, Inc., Plano, Texas、美国 Google LLC, Mountain View, California、美国 Super Mi
据官方公告，Coinbase 将上线 Roundhill Memory ETF(DRAM) 和Direxion Daily Semiconductor Bull 3X Shares ETF (SOXL) 的永续合约，DRAM-PERP和 SOXL-PERP 市场将于 2026年 7月 16日 17:00（UTC+8）起或之后开放交易。
AI 需求引发的内存供应短缺持续，三星电子、苹果、小米等智能手机厂商下半年价格上调压力延续。 手机行业信息显示，三星电子本月拟发布的 Galaxy Z8 系列按存储容量上调价格的可能性上升。256GB 基础款价格预计维持在前代约 305 万韩元水平，512GB 和 1TB 机型价格可能分别上调约 12 万韩元。 该定价方式为尽量降低基础款涨价幅度，优先调整受内存成本压力较大的大容量机型价格。