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SK海力士考虑出售重庆工厂股权，估值约30亿美元
存储芯片制造商 SK 海力士正考虑出售中国重庆工厂股权，并研究引入外部投资者等多种方案，已着手选定顾问机构。若交易达成，该工厂企业价值预计约为 30 亿美元，潜在投资者包括中资基金和当地企业。
大摩：存储芯片周期放缓但 AI 需求与 LTA 重塑长期价值
据潮向研究，摩根士丹利 8 月最新研报指出，三季度 DRAM 合约价环比涨幅从预期的 20%回落至 15%，存储器模块库存升至 12.5 周，中国消费电子需求出现疲软信号。但大摩认为这只是正常周期放缓，不是趋势转折。四大云厂商 capex 增速从 14%上调至 29%，AI 需求仍强劲。三星目标将 60%到 70%产能置于长期协议下，SK 海力士已与约 10 家客户完成 LTA 谈判，美光 16 份协议覆盖约 1000 亿美元最低收入。 大摩对三星和 SK 海力士维持超配，目标价分别为 38.1 万韩元和 260 万韩元，隐含 74%到 84%上行空间。三星当前股价对应 2026 年预期市盈率约 5 倍，SK 海力士约 5.8 倍。大摩认为 LTA 正在改变行业盈利可见度，市场尚未对 LTA 支持的盈利赋予溢价，若 LTAs 验证下行保护作用，存储器估值体系可能重塑。
长鑫存储拟在北京建设第二座 DRAM 晶圆厂，正洽谈融资支持
据路透社报道，知情人士透露，长鑫存储正考虑在北京亦庄建设第二座 12 英寸 DRAM 晶圆厂，并与北京经开区及多家国有科技企业洽谈融资支持。目前谈判仍处于早期阶段，融资规模和结构尚未最终确定。拟建项目或落地于公司现有北京厂区，但产能规划及总投资金额暂未披露。
Serenity：科技4巨头年内开支或高于预期，存储芯片等瓶颈资产将迎估值重塑
“白毛股神”Serenity 发文对亚马逊、Meta、谷歌和微软最新财报中的资本开支指引进行总结称，四大科技巨头预计 2026 年合计资本开支将达到约 7200 亿至 7450 亿美元，高于此前市场预期的 6950 亿至 7250 亿美元。市场近期已经出现明显去杠杆，以及散户和机构投资者因保证金压力导致的仓位清算，短期调整可能仍会持续，但从中长期来看很难对上游半导体企业和新型云计算基础设施保持看空态度。Serenity 还提出“瓶颈投资”逻辑，认为当数万亿美元资本流入过去被视为低价值商品的供应链环节时，例如存储芯片、甚至能源基础设施领域的相关企业可能迎来估值重塑。许多当前热门 AI 产业链公司过去曾在电信周期中被市场忽视，但随着 AI 基础设施建设进入加速阶段，资本开支流入其资产负债表，这些企业可能迎来重新定价。
孔剑平间接持有长鑫科技约1898万股，对应市值约9.4亿元
据公开资料及相关披露文件，孔剑平通过易方畅达基金（认缴 2134 万元）间接持有长鑫科技约 1898 万股。按当日开盘价 49.5 元计算，对应持股市值约 9.4 亿元，按相关说法测算回报约为 44 倍。孔剑平表示，其于 2020 年投资长鑫时公司估值尚不足 200 亿元，目前已超过 3 万亿元。
银行“潜伏”长鑫科技：股权升值部分约占中农工建等6大行2025年营收0.3%-10%
长鑫科技上市首日“登基”A 股股王，也为间接入股的五大国有银行带来了可观的账面增值收益。据悉，五家国有大行主要通过旗下的金融资产投资公司（AIC）参与了长鑫科技的投资：农业银行通过旗下农银投资直接持股约 0.95%，为银行系 AIC 中最大投资方；建设银行通过建信投资直接持股约 0.83%，同时还通过建银国际、建信领航间接持有部分股权，穿透后合计持股约 1.7%，在五家国有行中比例最高；工商银行通过工银投资旗下工融金投持股约 0.64%；交通银行通过交银金融持股约 0.38%；中国银行通过中银资产持股约 0.38%。分析称，银行大概率将持有的长鑫股权置于 FVTPL 账户（即以公允价值计量且其变动计入当期损益的金融资产账户）下，假设以上市前最后一轮增资价格 2.63 元/股为基准，各家银行账面金额分别为建行 24.6 亿元、农行 15 亿元、工行 10.1 亿元、中行和交行各 6 亿元、招行 4.6 亿元，在长鑫科技上市后总市值 1-7 万亿元的不同情景模拟下，股权升值部分约占六家银行 2025 年营收的 0.3%-10%。（财新网）
美国 ITC 发布对外国制造的半导体器件及其下游产品和组件的 337 部分终裁
据新浪财经报道，美国国际贸易委员会 (ITC) 投票决定对特定动态随机存取存储器 (DRAM) 设备及其下游产品和组件 (II)(Certain Dynamic Random Access Memory (DRAM) Devices, Products Containing the Same, and Components Thereof (II))启动 337 调查(调查编码：337-TA-1511)。主张对美出口、在美进口和在美销售的该产品违反了美国 337 条款(侵权美国注册专利号 12,646,537、12,650,937 )，请求美国 ITC 发布有限排除令、禁止令。 韩国 Samsung Electronics Co., Ltd., Suwon, Republic of Korea、美国 Samsung Electronics America, Inc., Plano, Texas、美国 Samsung Semiconductor, Inc., Plano, Texas、美国 Google LLC, Mountain View, California、美国 Super Mi
三星、SK 海力士及美光遭美国集体诉讼，被指借 HBM 转型操纵内存价格
据澎湃新闻报道，14 名个人消费者及三家小型企业于 6月 25 日在美国加州北区联邦法院提起反垄断集体诉讼，指控三星、SK 海力士和美光自 2022 年起串通操纵 DRAM 供应与定价，导致过去四年内存价格上涨约 700%。原告称三家公司以向高带宽内存（HBM）转型为借口，人为削减 DDR3和 DDR4 传统内存供应，无视"所有经济和商业逻辑"。诉讼还援引苹果近期上调 iPad及 Mac 售价，作为供应限制波及下游产品的佐证。若胜诉，被告需支付三倍赔偿金，且诉讼范围或将扩大至所有采购含 DRAM 产品的消费者与企业。 值得注意的是，三星和 SK 海力士此前曾因本世纪初的价格操纵行为在美国被判罚款，三星更于 2005 年被处以 3 亿美元刑事罚款。投行 Jefferies 预计，内存价格高位短期难以逆转，2026 年三四季度仍将环比上涨 30%至 50%，最早或需至 2028 年方可出现明显回落。
SK海力士拟在日本宫城县投资数万亿韩元建设存储芯片晶圆厂
Citrini 分析师 jukan 在 X 平台发文表示，据知情人士透露，SK 海力士正推进投资数万亿韩元在日本东北部宫城县建设存储芯片晶圆厂。若计划落地，这将成为韩国半导体企业在日本设立本地制造基地的首笔大规模投资。随着对日投资推进，美国预计也将加大对韩国企业赴美扩大存储芯片产能的压力，进一步增加其未来投资配置决策的复杂性。据《韩民族日报》20 日报道，SK hynix 正寻求在日本本州东北地区的宫城县建设存储芯片晶圆厂。一名商界人士表示：“据我了解，SK 集团董事长 Chey Tae-won 近期曾亲自到访该地区。”宫城县与九州、北海道并列为日本政府计划发展为主要半导体产业中心的三个地区之一。据报道，该项目投资规模预计达数万亿韩元。与韩国龙仁及湖南地区国内半导体集群数百百万亿韩元的投资规模相比，日本工厂将是规模相对较小的生产基地。宫城县晶圆厂将作为新增的海外制造基地，SK hynix 仍将按原计划推进龙仁及湖南半导体集群的国内投资。该计划似乎旨在全球存储芯片持续短缺的背景下，主动扩大产能。若计划落地，SK hynix 将成为继美国美光和中国台湾 TSMC 之后，第三家在日本运营半导体制造设施的外国半导体企业。三星电子目前仅在横滨运营先进半导体封装研究中心。不过，该投资也面临风险。美国一直在施压韩国政府及韩国企业赴美国本土投资建设存储芯片晶圆厂。如果 SK hynix 推进对日投资，华盛顿可能进一步要求其在美国扩大本地产能。此外，SK hynix 还需应对韩国国内政治不确定性，以及围绕半导体等战略性产业对日投资的社会敏感性。
SK海力士光互联内存路线图：本地HBM连接更大共享内存池
Citrini 分析师 jukan 在 X 平台发文表示，乍看之下，SK 海力士的 CPO 技术路线图似乎一条轴线指向 HBM，另一条轴线指向光通信。但其底层逻辑是，AI 竞争正从单个芯片的性能转向整个系统的数据传输效率。过去数年，HBM 解决了 GPU 无法足够快速接收数据的问题。通过垂直堆叠多层 DRAM 并将其放置在 GPU 旁边，HBM 能够提供极高带宽。然而，随着每个 GPU 周围放置更多 HBM 堆叠，封装面积、中介层边缘空间、电力供应和散热能力都在接近上限。与此同时，AI 集群已经扩展至数千甚至数万枚 GPU。无论单个 GPU 的计算速度多快，如果数据无法在 GPU 与机架之间高效传输，整个系统仍将受到“带宽墙”限制。SK hynix 的设想是将光互连扩展至内存。低延迟、高带宽的本地 HBM 仍将置于 GPU 旁边，同时通过光纤将其连接至更大的共享内存池。这样可以避免将全部内存容量限制在单个 GPU 封装内，并实现机架层面的横向扩展。从投资角度看，这并不意味着 HBM 近期将被替代。更可能出现的是新的内存层级：访问最频繁的数据仍保存在本地 HBM 中，而更大规模、访问频率较低的数据则存储在光互联内存池、HBF 或 SSD 中。SK hynix 正在重新定位自身业务，从销售标准化内存芯片，转向与客户共同设计 HBM、控制器、先进封装以及系统级内存架构。如果该路线图得以实现，SK hynix 可能增强客户黏性、提高产品附加值，并提升获得长期合约的能力；同时，公司也可能更主动地应对未来内存解耦对传统 HBM 商业模式造成的潜在影响。在供应链层面，长期可能受益的领域包括硅光子芯片、光引擎、激光器、光纤耦合技术以及先进 2.5D 和 3D 封装。不过，该概念目前仍处于极早期阶段，本质上仍只是一份路线图。jukan 表示，其今日采访的一位参与 TSMC 封装业务的人士完全不了解这一计划。
Jim Cramer：AI 驱动内存股超级周期，四大存储股仍有上涨空间
据 CNBC 报道，知名投资人 Jim Cramer 表示，AI 热潮已从根本上改变了内存行业的周期性规律，尽管 Sandisk 年内已暴涨 653%、Seagate 涨261%、Micron 涨254%、Western Digital 涨211%，但现在入场仍不算晚。 Cramer 指出，此轮周期与历史不同的核心原因有三：其一，内存供应极度短缺，马斯克曾公开表示内存已成数据中心扩张的最大瓶颈；其二，厂商不再盲目扩产，转而通过长期客户协议锁定利润率；其三，各公司将利润用于股票回购而非产能扩张，Sandisk 尚有 155 亿美元回购额度，Seagate 推进 50 亿美元回购计划，Western Digital 今年新增 40 亿美元回购授权。 Cramer 尤其看好 Micron，认为其在 AI 数据中心需求不减的前提下仍有翻倍潜力，并已通过旗下慈善信托基金建仓。
苹果与长鑫存储就供应事宜展开初步洽谈，拟在部分中国销售设备中使用其元件
Citrini 分析师 jukan 在 X 平台发文表示，WSJ 称，苹果已与长鑫存储就供应事宜展开初步洽谈，计划将其元件用于部分在中国销售的设备。
Serenity：仍看涨内存股，光子板块焦点再次转向AXTI和LITE
“白毛股神”Serenity 在 X 平台发文表示仍然看涨内存股，如 MU 和三星。此外，本周光子领域的焦点重新转向了 AXT 和 Lumentum。光子行业此前已出现供应紧张迹象，Coherent（$COHR）和 Lumentum（$LITE）激光器未来两年产能已经售罄，AAOI 此前财报也显示光模块需求持续强劲。同时，存储板块大量散户出现恐慌性抛售。目前市场确实有一些变化，例如 Nvidia Rubin Ultra 对内存进行了优化；内存价格不再像此前预期那样大幅上涨。但以当前价格来看：存储企业的营业利润相对于市值仍然非常夸张，尤其是在存储需求正在结构化增长的情况下。而且明年的供需失衡可能会更加严重。Serenity 表示，市场往往会在一个行业下跌时陷入恐慌，并跟随新的叙事。例如伊朗战争期间的氦气、LNG 市场及 SpaceX 财报电话会上再次强调存储供应紧张。很多时候：行业瓶颈和基本面并没有发生明显变化，但市场情绪已经发生巨大转变。
Citrini分析师：短期或迎“卖存储、买光模”交易，长期仍看好存储行业
Citrini 分析师 Jukan 在 X 平台表示，市场短期内可能不得不采取“做空存储、做多光模”（short memory, long optical）的交易策略，目前已有部分对冲基金开始布局这一方向，主要基于三方面原因：第一，韩国杠杆 ETF 市场基本失去作用后，相关投资者正在面临赎回压力，可能带来额外卖盘流出，杠杆产品资金链的调整仍可能对韩国存储股形成压力。第二，英伟达正在调整下一代 AI 系统架构，英伟达可能降低 Rubin Ultra 单机柜 HBM 配置，并通过光互连技术连接多个机柜，使 Rubin Ultra 集群级性能保持领先，即便 HBM 削减源于供应限制而非需求下降，光通信仍可能成为 AI 基础设施的重要受益方向。第三，市场正在形成共识，认为存储价格可能在未来两个季度内达到峰值。不过，长期来看仍然看好存储行业发展，但短期观点偏谨慎。AI 基础设施投资正在从单纯关注 HBM 存储容量，逐渐转向整个数据中心架构效率，包括高速光互连等环节，可能推动资金在短期内从存储芯片转向光通信领域。
Bitget股票合约已上线长鑫存储（CXMT）
据官方公告，Bitget 股票永续合约已上线 CXMT（长鑫存储）。该合约以 USDT 结算，支持最高 20 倍杠杆及 7×24 小时交易。截至目前，Bitget 共支持 273 只股票合约标的。
币安合约将上线多个 TradFi USDT 永续合约
据官方公告，币安合约平台将于 2026年 8月 17 日至 18 日陆续上线 6 个传统金融标的 USDT 永续合约，具体如下： • GDXUSDT（标的：VanEck 黄金矿业 ETF）— 8月 17日 13:30 UTC • NETUSDT（标的：Cloudflare A 类普通股）— 8月 17日 13:35 UTC • VSTUSDT（标的：Vistra Corp 普通股）— 8月 17日 13:40 UTC • SHOPUSDT（标的：Shopify A 类股）— 8月 17日 13:45 UTC • LYTEUSDT（标的：Roundhill 光子与光学 ETF）— 8月 17日 13:50 UTC • CXMTUSDT（标的：长鑫存储，上交所 688825）— 8月 18日 05:00 UTC 上述合约均支持最高 20 倍杠杆、24/7 全天候交易及多资产模式，资金费率每 8 小时结算一次，上限为±2%。
SK海力士股价震荡后仍被机构看好：HBM4与长期供货协议支撑AI时代增长
据韩媒NATE报道，受AI投资热潮推动，SK海力士股价近期经历剧烈波动。在市场波动加剧背景下，SK集团发布广告引用创始人崔钟贤（최종건）的名言：“绝望与希望是一枚硬币的两面，可以像翻转手掌一样将绝望转变为希望”并将其改写为“AI时代的不安与期待也是硬币的两面，可以将不安转变为期待”，借此传递对AI产业长期发展的信心。 证券机构认为，短期股价波动并未改变SK海力士的基本面，市场应关注其HBM4技术领先优势以及长期供货协议（LTA）带来的业绩稳定性。现代汽车证券分析师卢根昌（노근창）表示，预计SK海力士第三季度DRAM和NAND比特增长率分别达到9.7%和1.5%，随着HBM4销售贡献扩大，即使长期供货协议占比提升，DRAM平均售价（ASP）仍有望环比上涨19.9%。针对中国长鑫存储（CXMT）带来的竞争担忧，卢根昌认为考虑到美国持续强化半导体设备出口限制，以及美光扩大美国本土投资，苹果等主要企业采用中国存储芯片的可能性较低。
大摩：存储芯片周期放缓但 AI 需求与 LTA 重塑长期价值
据潮向研究，摩根士丹利 8 月最新研报指出，三季度 DRAM 合约价环比涨幅从预期的 20%回落至 15%，存储器模块库存升至 12.5 周，中国消费电子需求出现疲软信号。但大摩认为这只是正常周期放缓，不是趋势转折。四大云厂商 capex 增速从 14%上调至 29%，AI 需求仍强劲。三星目标将 60%到 70%产能置于长期协议下，SK 海力士已与约 10 家客户完成 LTA 谈判，美光 16 份协议覆盖约 1000 亿美元最低收入。 大摩对三星和 SK 海力士维持超配，目标价分别为 38.1 万韩元和 260 万韩元，隐含 74%到 84%上行空间。三星当前股价对应 2026 年预期市盈率约 5 倍，SK 海力士约 5.8 倍。大摩认为 LTA 正在改变行业盈利可见度，市场尚未对 LTA 支持的盈利赋予溢价，若 LTAs 验证下行保护作用，存储器估值体系可能重塑。
英伟达考虑调降 Rubin Ultra GPU 配置，应对 HBM 内存短缺
英伟达为应对 HBM 内存供应短缺，考虑降低新一代 Rubin Ultra GPU 的配置。据 The Information 援引知情人士消息，英伟达内部在过去数周至少测试了 3 种低 HBM 配置的 Rubin Ultra GPU，所需 HBM 容量低于最初公布规格。可能的降级路径包括从 HBM4E 下调至 HBM4、从 12Hi HBM 下调至 8Hi HBM。此举旨在在供应约束下推进产品发布计划。
SK海力士与闪迪公开HBF首个标准规格，容量最高512GB
SK 海力士与闪迪公开基于 NAND 闪存的下一代存储技术高带宽闪存（HBF）首个标准规格。SK 海力士于 8 月 4 日至 6 日在美国加州圣克拉拉举行的 FMS 2026 上提出该规格。HBF 通过类似高带宽内存（HBM）的垂直堆叠方式堆叠 NAND 闪存，以提升容量和数据传输速度。该规格按 8 层和 16 层 NAND die 两种堆叠配置定义，容量最高 512GB，带宽分三档，支持每秒 0.4TB 至 3.0TB。HBF 与处理器的连接方式采用行业标准 UCIe，可连接 GPU、CPU 等不同类型处理器。该规格通过开放数据中心技术协作组织 OCP 公开，HBF 联盟目前包括 Google 和 AI 半导体公司 Tenstorrent。SK 海力士还将在本次活动首次公开开发中的第 10 代（V10）375 层 4D NAND 晶圆和产品，并计划明年初启动采用该技术的高性能、高容量企业级 SSD（eSSD）量产。
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SK海力士拟在日本宫城县投资数万亿韩元建设存储芯片晶圆厂
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SK海力士光互联内存路线图：本地HBM连接更大共享内存池
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Jim Cramer：AI 驱动内存股超级周期，四大存储股仍有上涨空间
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Bitget股票合约已上线长鑫存储（CXMT）
据官方公告，Bitget 股票永续合约已上线 CXMT（长鑫存储）。该合约以 USDT 结算，支持最高 20 倍杠杆及 7×24 小时交易。截至目前，Bitget 共支持 273 只股票合约标的。
大摩：传统存储没有长协未必是坏事，DDR4 和 SLC NAND 正处涨价最强周期
据潮向研究，摩根士丹利 8月 14 日研报指出，DDR4、SLC NAND和 NOR Flash 三大传统存储产品基本面持续改善，供需缺口扩大、定价权增强，主流厂商退出 DDR4 供应的速度比预期更快。大摩预计 DDR4 3Q26 涨价 50%，4Q26 再涨 10%以上；SLC NAND 3Q26和 4Q26 价格涨幅均超 50%，供给紧张可能延续至 2027 年；NOR Flash 4Q26 还将有一轮上调，动能可能延续至 1H27。 研报判断，市场对传统存储周期的可持续性定价过于悲观。大摩将旺宏、华邦电、兆易创新、力积电盈利预测全面上调，AP Memory因 SiCap 业务列为首选标的，偏好排序为 AP Memory > 兆易创新 > 旺宏 > 华邦电 > 力积电 > 南亚科。旺宏 2026至 2028 年每股收益分别上调 139%、144%和 147%；兆易创新分别上调 108%、49%和 48%。大摩认为，没有 LTAs（长期协议）意味着没有价格上限的束缚，当供给缺口扩大、定价权掌握在供应商手中时，传统存储厂商的利润弹性反而更大。
币安合约将上线多个 TradFi USDT 永续合约
据官方公告，币安合约平台将于 2026年 8月 17 日至 18 日陆续上线 6 个传统金融标的 USDT 永续合约，具体如下： • GDXUSDT（标的：VanEck 黄金矿业 ETF）— 8月 17日 13:30 UTC • NETUSDT（标的：Cloudflare A 类普通股）— 8月 17日 13:35 UTC • VSTUSDT（标的：Vistra Corp 普通股）— 8月 17日 13:40 UTC • SHOPUSDT（标的：Shopify A 类股）— 8月 17日 13:45 UTC • LYTEUSDT（标的：Roundhill 光子与光学 ETF）— 8月 17日 13:50 UTC • CXMTUSDT（标的：长鑫存储，上交所 688825）— 8月 18日 05:00 UTC 上述合约均支持最高 20 倍杠杆、24/7 全天候交易及多资产模式，资金费率每 8 小时结算一次，上限为±2%。