同时关联该项目与事件的快讯
Citrini 分析师 jukan 在 X 平台发文表示，据知情人士透露，SK 海力士正推进投资数万亿韩元在日本东北部宫城县建设存储芯片晶圆厂。若计划落地，这将成为韩国半导体企业在日本设立本地制造基地的首笔大规模投资。随着对日投资推进，美国预计也将加大对韩国企业赴美扩大存储芯片产能的压力，进一步增加其未来投资配置决策的复杂性。据《韩民族日报》20 日报道，SK hynix 正寻求在日本本州东北地区的宫城县建设存储芯片晶圆厂。一名商界人士表示：“据我了解，SK 集团董事长 Chey Tae-won 近期曾亲自到访该地区。”宫城县与九州、北海道并列为日本政府计划发展为主要半导体产业中心的三个地区之一。据报道，该项目投资规模预计达数万亿韩元。与韩国龙仁及湖南地区国内半导体集群数百百万亿韩元的投资规模相比，日本工厂将是规模相对较小的生产基地。宫城县晶圆厂将作为新增的海外制造基地，SK hynix 仍将按原计划推进龙仁及湖南半导体集群的国内投资。该计划似乎旨在全球存储芯片持续短缺的背景下，主动扩大产能。若计划落地，SK hynix 将成为继美国美光和中国台湾 TSMC 之后，第三家在日本运营半导体制造设施的外国半导体企业。三星电子目前仅在横滨运营先进半导体封装研究中心。不过，该投资也面临风险。美国一直在施压韩国政府及韩国企业赴美国本土投资建设存储芯片晶圆厂。如果 SK hynix 推进对日投资，华盛顿可能进一步要求其在美国扩大本地产能。此外，SK hynix 还需应对韩国国内政治不确定性，以及围绕半导体等战略性产业对日投资的社会敏感性。
Citrini 分析师 jukan 在 X 平台发文表示，乍看之下，SK 海力士的 CPO 技术路线图似乎一条轴线指向 HBM，另一条轴线指向光通信。但其底层逻辑是，AI 竞争正从单个芯片的性能转向整个系统的数据传输效率。过去数年，HBM 解决了 GPU 无法足够快速接收数据的问题。通过垂直堆叠多层 DRAM 并将其放置在 GPU 旁边，HBM 能够提供极高带宽。然而，随着每个 GPU 周围放置更多 HBM 堆叠，封装面积、中介层边缘空间、电力供应和散热能力都在接近上限。与此同时，AI 集群已经扩展至数千甚至数万枚 GPU。无论单个 GPU 的计算速度多快，如果数据无法在 GPU 与机架之间高效传输，整个系统仍将受到“带宽墙”限制。SK hynix 的设想是将光互连扩展至内存。低延迟、高带宽的本地 HBM 仍将置于 GPU 旁边，同时通过光纤将其连接至更大的共享内存池。这样可以避免将全部内存容量限制在单个 GPU 封装内，并实现机架层面的横向扩展。从投资角度看，这并不意味着 HBM 近期将被替代。更可能出现的是新的内存层级：访问最频繁的数据仍保存在本地 HBM 中，而更大规模、访问频率较低的数据则存储在光互联内存池、HBF 或 SSD 中。SK hynix 正在重新定位自身业务，从销售标准化内存芯片，转向与客户共同设计 HBM、控制器、先进封装以及系统级内存架构。如果该路线图得以实现，SK hynix 可能增强客户黏性、提高产品附加值，并提升获得长期合约的能力；同时，公司也可能更主动地应对未来内存解耦对传统 HBM 商业模式造成的潜在影响。在供应链层面，长期可能受益的领域包括硅光子芯片、光引擎、激光器、光纤耦合技术以及先进 2.5D 和 3D 封装。不过，该概念目前仍处于极早期阶段，本质上仍只是一份路线图。jukan 表示，其今日采访的一位参与 TSMC 封装业务的人士完全不了解这一计划。
据 CNBC 报道，知名投资人 Jim Cramer 表示，AI 热潮已从根本上改变了内存行业的周期性规律，尽管 Sandisk 年内已暴涨 653%、Seagate 涨261%、Micron 涨254%、Western Digital 涨211%，但现在入场仍不算晚。 Cramer 指出，此轮周期与历史不同的核心原因有三：其一，内存供应极度短缺，马斯克曾公开表示内存已成数据中心扩张的最大瓶颈；其二，厂商不再盲目扩产，转而通过长期客户协议锁定利润率；其三，各公司将利润用于股票回购而非产能扩张，Sandisk 尚有 155 亿美元回购额度，Seagate 推进 50 亿美元回购计划，Western Digital 今年新增 40 亿美元回购授权。 Cramer 尤其看好 Micron，认为其在 AI 数据中心需求不减的前提下仍有翻倍潜力，并已通过旗下慈善信托基金建仓。
Citrini 分析师 jukan 在 X 平台发文表示，WSJ 称，苹果已与长鑫存储就供应事宜展开初步洽谈，计划将其元件用于部分在中国销售的设备。
“白毛股神”Serenity 在 X 平台发文表示仍然看涨内存股，如 MU 和三星。此外，本周光子领域的焦点重新转向了 AXT 和 Lumentum。光子行业此前已出现供应紧张迹象，Coherent（$COHR）和 Lumentum（$LITE）激光器未来两年产能已经售罄，AAOI 此前财报也显示光模块需求持续强劲。同时，存储板块大量散户出现恐慌性抛售。目前市场确实有一些变化，例如 Nvidia Rubin Ultra 对内存进行了优化；内存价格不再像此前预期那样大幅上涨。但以当前价格来看：存储企业的营业利润相对于市值仍然非常夸张，尤其是在存储需求正在结构化增长的情况下。而且明年的供需失衡可能会更加严重。Serenity 表示，市场往往会在一个行业下跌时陷入恐慌，并跟随新的叙事。例如伊朗战争期间的氦气、LNG 市场及 SpaceX 财报电话会上再次强调存储供应紧张。很多时候：行业瓶颈和基本面并没有发生明显变化，但市场情绪已经发生巨大转变。
Citrini 分析师 Jukan 在 X 平台表示，市场短期内可能不得不采取“做空存储、做多光模”（short memory, long optical）的交易策略，目前已有部分对冲基金开始布局这一方向，主要基于三方面原因：第一，韩国杠杆 ETF 市场基本失去作用后，相关投资者正在面临赎回压力，可能带来额外卖盘流出，杠杆产品资金链的调整仍可能对韩国存储股形成压力。第二，英伟达正在调整下一代 AI 系统架构，英伟达可能降低 Rubin Ultra 单机柜 HBM 配置，并通过光互连技术连接多个机柜，使 Rubin Ultra 集群级性能保持领先，即便 HBM 削减源于供应限制而非需求下降，光通信仍可能成为 AI 基础设施的重要受益方向。第三，市场正在形成共识，认为存储价格可能在未来两个季度内达到峰值。不过，长期来看仍然看好存储行业发展，但短期观点偏谨慎。AI 基础设施投资正在从单纯关注 HBM 存储容量，逐渐转向整个数据中心架构效率，包括高速光互连等环节，可能推动资金在短期内从存储芯片转向光通信领域。
据韩媒NATE报道，受AI投资热潮推动，SK海力士股价近期经历剧烈波动。在市场波动加剧背景下，SK集团发布广告引用创始人崔钟贤（최종건）的名言：“绝望与希望是一枚硬币的两面，可以像翻转手掌一样将绝望转变为希望”并将其改写为“AI时代的不安与期待也是硬币的两面，可以将不安转变为期待”，借此传递对AI产业长期发展的信心。 证券机构认为，短期股价波动并未改变SK海力士的基本面，市场应关注其HBM4技术领先优势以及长期供货协议（LTA）带来的业绩稳定性。现代汽车证券分析师卢根昌（노근창）表示，预计SK海力士第三季度DRAM和NAND比特增长率分别达到9.7%和1.5%，随着HBM4销售贡献扩大，即使长期供货协议占比提升，DRAM平均售价（ASP）仍有望环比上涨19.9%。针对中国长鑫存储（CXMT）带来的竞争担忧，卢根昌认为考虑到美国持续强化半导体设备出口限制，以及美光扩大美国本土投资，苹果等主要企业采用中国存储芯片的可能性较低。
Citrini 分析师 jukan 在 X 平台发文表示，花旗下调美光评级，认为未来四个季度 DRAM 和 NAND 价格涨幅将逐步放缓，价格预计将在明年 5 月所在季度，即第二财季见顶。花旗将 8 月、11 月、次年 2 月和 5 月季度的 DRAM 价格环比涨幅预期从 23%、10%、2%和 0%调整为 23%、9%、2%和 0%，目前预计 2027 年下半年价格较上半年下降 3%。NAND 价格环比涨幅预期则从 29%、9%、1%和 0%调整为 29%、7%、0%和-1%，2027 年下半年价格预期调整为较上半年下降 5%。花旗表示，长鑫存储和长江存储扩产将推动 DRAM 和 NAND 价格下跌。美股上市存储芯片股大幅下跌。
分析师 qinbafrank 披露，美国 ETF 管理机构 Roundhill 本周对 DRAM 主题基金进行重大调仓，减持三星电子，同步买入长鑫存储，这也意味着中国存储龙头首次进入美股主流 DRAM 投资产品。本周二、周三，Roundhill 累计买入 6500 万股长鑫存储股票，长鑫存储在 DRAM ETF 中的权重迅速升至 2.47%。与此同时，Roundhill 周一至周三每日减持约 100 万股三星电子，三日合计出售 300 万股。
链上分析师 Ai 姨在 X 平台发文表示，美股首只纯存储 ETF DRAM Memory ETF 收录长鑫科技。该 ETF 于 2026 年 4 月 2 日成立，规模为 245.5 亿美元，回报率一度达 190%，经历存储板块回撤后仍为 161.5%。三星、美光、海力士合计权重超 73%，继兆易创新后再次收录 A 股存储龙头，长鑫权重为 2.52%。长鑫科技自科创板上市后市值仍在 3 万亿元以上，并曾短时突破 4 万亿元，将从下周一开始结束无涨跌幅限制阶段，进入常规交易阶段。
“白毛股神”Serenity 发文对亚马逊、Meta、谷歌和微软最新财报中的资本开支指引进行总结称，四大科技巨头预计 2026 年合计资本开支将达到约 7200 亿至 7450 亿美元，高于此前市场预期的 6950 亿至 7250 亿美元。市场近期已经出现明显去杠杆，以及散户和机构投资者因保证金压力导致的仓位清算，短期调整可能仍会持续，但从中长期来看很难对上游半导体企业和新型云计算基础设施保持看空态度。Serenity 还提出“瓶颈投资”逻辑，认为当数万亿美元资本流入过去被视为低价值商品的供应链环节时，例如存储芯片、甚至能源基础设施领域的相关企业可能迎来估值重塑。许多当前热门 AI 产业链公司过去曾在电信周期中被市场忽视，但随着 AI 基础设施建设进入加速阶段，资本开支流入其资产负债表，这些企业可能迎来重新定价。
据 Lookonchain 监测，长鑫存储多空博弈仍在继续。某巨鲸做空 280 万枚长鑫存储，价值 2000 万美元，目前亏损 190 万美元，并支付 104 万美元资金费；另一某巨鲸做多 163 万枚长鑫存储，价值 1166 万美元，目前盈利 85.3 万美元，并赚取 60.6 万美元资金费。
多家韩国媒体认为，本轮股市急跌被解读为中国最大半导体企业长鑫科技上市带来的冲击。市场担忧长鑫科技凭借股市上市筹得的资金追赶三星电子和 SK 海力士等半导体企业，这一忧虑蔓延，导致投资心理受挫。据 CNBC 此前报道，Z-Ben Advisors 分析师彼得・亚历山大认为，参照钢铁、新能源汽车产业的发展路径，长鑫科技将快速抢占低端存储芯片市场份额，并最终撼动三星电子、SK 海力士、美光科技在全球存储行业的垄断地位。（中新经纬）
Milk Road AI 分析师在 X 上发文就长鑫科技股价暴涨进行分析。其表示，过去不到一年，长鑫存储的全球 DRAM 市占率从不足 4% 提升至约 7.7%-8%，今年一季度营收同比增长 719% 至 508 亿元人民币。这一增长主要受益于三星、SK 海力士和美光将更多产能转向 AI 服务器存储（尤其 HBM），导致传统 DDR5、LPDDR5 市场供应出现缺口，长鑫存储借机填补中低端 DRAM 需求。不过，长鑫存储目前的产能远不足以满足全球需求，目前其月晶圆产能约 29 万-32 万片，低于三星约 63 万片、SK 海力士约 50 万片的规模。此外，美国对先进光刻设备的出口限制，也正在限制长鑫存储进一步扩张速度。其认为，长鑫存储短期仍难进入 HBM 市场，因此不会改变 AI 存储供需格局。三星、SK 海力士和美光仍将在 HBM、服务器 DRAM、LPDDR5X 等高利润产品中保持优势，全球存储短缺周期或仍将持续。
据潮向研究，美银 7月 24 日全球存储器周报指出，7月 PC DRAM 合同价环比涨 15%-20%，三季度环比涨幅可达 30%-40%，远超 TrendForce 预测的 13%-18%，现货价格同步走强。韩国 7 月前 20 天半导体出口 221 亿美元，同比增 181%，中国 6 月内存进口 320 亿美元创历史新高，同比增约 250%，长鑫存储扩产影响仍有限。 美银分析师预计谷歌 2026/2027 年资本开支分别达 2000 亿/3000 亿美元，较 2025年 910 亿大幅提升，意味着 2027 年需比 2026 年多采购 50%以上的存储芯片。谷歌 2026-2028 年每年现金及等价物超 500 亿美元，对存储芯片扩产是积极信号。三星电子 7月 30 日财报会预计宣布大规模回购、提前派息及更乐观的下半年/2027 年指引，美银维持三星买入评级。
据 Lookonchain 监测，地址为 0xf292 的神秘巨鲸持续增持 CXMT 空头头寸，目前持有约 144 万枚 CXMT 的空头仓位，价值约 918 万美元，另有约 255 万美元的 CXMT 限价做空订单等待成交。当前清算价格为 15.14 美元。
Citrini 分析师 Jukan 在 X 平台发表示称，市场流传的一份摩根士丹利研究报告显示，分析师 Shawn Kim 已转向看空存储芯片行业。报告认为，NAND 模组厂库存已升至约 13 周，需求明显降温，预计第四季度 NAND 价格涨幅将放缓至约 5%，现货价格已连续两个月下跌；同时，长鑫存储（CXMT）正快速扩大产能，供需逐步趋于平衡。报告还指出，若 NAND 行情转弱，DRAM 亦应同步看空，并预计 HBM 市场增速将受限于约 40%。Jukan 表示，其已向消息人士核实该报告属实，并称 Shawn Kim 近期一直持类似观点，这或是韩国 KOSPI 指数近几周持续回调的原因之一。
据链上分析师 Ai 姨监测，某地址今晚八点半以均价 6.7815 美元做多 75.17 万枚长鑫存储，价值 494.5 万美元，现浮亏 15.4 万美元，是 Hyperliquid 长鑫存储头寸规模排名 TOP3 。此外，该地址还做多 404 万美元海力士。
三星电子、SK 海力士和美光科技三大内存芯片公司股价本月均出现下跌，为投资者重新布局快速增长的存储芯片行业提供机会。市场担忧，当前由人工智能需求推动的内存芯片繁荣可能在未来几年放缓，重演过去周期性行业中常见的“扩张—过剩—下行”走势。分析人士指出，投资者若选择在当前阶段进入内存芯片领域，需要相信 AI 驱动的存储需求增长能够持续，并能够抵御行业周期波动带来的风险。在投资选择方面，一种策略是关注估值最低的公司。三星目前在三大内存芯片企业中估值相对较低，可能成为部分投资者获取存储行业增长机会的选择。（The Information）
Citrini 分析师 Jukan 在 X 平台发文援引摩根士丹利分析师 Joseph Moore 观点称，数据中心领域的内存短缺问题仍在持续恶化，市场供应压力暂无缓解迹象，内存供应紧张程度依然高于预期。目前，同规格内存产品价格较 2026 年第二季度预计水平相比，第三季度已上涨至少 25%，高于摩根士丹利及第三方机构此前预测。内存供应紧张问题可能在 2027 年和 2028 年继续加剧，当前市场可用内存资源无法满足人工智能产业快速增长的需求，短期内这一局面难以改变。AI 正在消耗大量 DRAM 产能，导致其他行业可获得的内存资源减少，PC 和智能手机等消费电子产品生产已受到影响。AI 需求不仅受到内存短缺影响，内存本身正逐渐成为限制 AI 发展的关键瓶颈之一，与数据中心空间和电力供应同等重要。此外，部分云计算客户正在支付高于预期的价格，以获得提前六周交付的内存产品。市场认为，随着 AI 服务器建设持续扩张，高带宽内存（HBM）及 DRAM 供应链压力可能进一步延续。