同時關聯該項目與事件的快訊
Citrini 分析師 jukan 在 X 平臺發文表示，據知情人士透露，SK 海力士正推進投資數萬億韓元在日本東北部宮城縣建設存儲芯片晶圓廠。若計劃落地，這將成爲韓國半導體企業在日本設立本地製造基地的首筆大規模投資。隨着對日投資推進，美國預計也將加大對韓國企業赴美擴大存儲芯片產能的壓力，進一步增加其未來投資配置決策的複雜性。據《韓民族日報》20 日報道，SK hynix 正尋求在日本本州東北地區的宮城縣建設存儲芯片晶圓廠。一名商界人士表示：“據我瞭解，SK 集團董事長 Chey Tae-won 近期曾親自到訪該地區。”宮城縣與九州、北海道並列爲日本政府計劃發展爲主要半導體產業中心的三個地區之一。據報道，該項目投資規模預計達數萬億韓元。與韓國龍仁及湖南地區國內半導體集羣數百百萬億韓元的投資規模相比，日本工廠將是規模相對較小的生產基地。宮城縣晶圓廠將作爲新增的海外製造基地，SK hynix 仍將按原計劃推進龍仁及湖南半導體集羣的國內投資。該計劃似乎旨在全球存儲芯片持續短缺的背景下，主動擴大產能。若計劃落地，SK hynix 將成爲繼美國美光和中國臺灣 TSMC 之後，第三家在日本運營半導體制造設施的外國半導體企業。三星電子目前僅在橫濱運營先進半導體封裝研究中心。不過，該投資也面臨風險。美國一直在施壓韓國政府及韓國企業赴美國本土投資建設存儲芯片晶圓廠。如果 SK hynix 推進對日投資，華盛頓可能進一步要求其在美國擴大本地產能。此外，SK hynix 還需應對韓國國內政治不確定性，以及圍繞半導體等戰略性產業對日投資的社會敏感性。
Citrini 分析師 jukan 在 X 平臺發文表示，乍看之下，SK 海力士的 CPO 技術路線圖似乎一條軸線指向 HBM，另一條軸線指向光通信。但其底層邏輯是，AI 競爭正從單個芯片的性能轉向整個系統的數據傳輸效率。過去數年，HBM 解決了 GPU 無法足夠快速接收數據的問題。通過垂直堆疊多層 DRAM 並將其放置在 GPU 旁邊，HBM 能夠提供極高帶寬。然而，隨着每個 GPU 周圍放置更多 HBM 堆疊，封裝面積、中介層邊緣空間、電力供應和散熱能力都在接近上限。與此同時，AI 集羣已經擴展至數千甚至數萬枚 GPU。無論單個 GPU 的計算速度多快，如果數據無法在 GPU 與機架之間高效傳輸，整個系統仍將受到“帶寬牆”限制。SK hynix 的設想是將光互連擴展至內存。低延遲、高帶寬的本地 HBM 仍將置於 GPU 旁邊，同時通過光纖將其連接至更大的共享內存池。這樣可以避免將全部內存容量限制在單個 GPU 封裝內，並實現機架層面的橫向擴展。從投資角度看，這並不意味着 HBM 近期將被替代。更可能出現的是新的內存層級：訪問最頻繁的數據仍保存在本地 HBM 中，而更大規模、訪問頻率較低的數據則存儲在光互聯內存池、HBF 或 SSD 中。SK hynix 正在重新定位自身業務，從銷售標準化內存芯片，轉向與客戶共同設計 HBM、控制器、先進封裝以及系統級內存架構。如果該路線圖得以實現，SK hynix 可能增強客戶黏性、提高產品附加值，並提升獲得長期合約的能力；同時，公司也可能更主動地應對未來內存解耦對傳統 HBM 商業模式造成的潛在影響。在供應鏈層面，長期可能受益的領域包括硅光子芯片、光引擎、激光器、光纖耦合技術以及先進 2.5D 和 3D 封裝。不過，該概念目前仍處於極早期階段，本質上仍只是一份路線圖。jukan 表示，其今日採訪的一位參與 TSMC 封裝業務的人士完全不瞭解這一計劃。
據 CNBC 報道，知名投資人 Jim Cramer 表示，AI 熱潮已從根本上改變了內存行業的週期性規律，儘管 Sandisk 年內已暴漲 653%、Seagate 漲261%、Micron 漲254%、Western Digital 漲211%，但現在入場仍不算晚。 Cramer 指出，此輪週期與歷史不同的核心原因有三：其一，內存供應極度短缺，馬斯克曾公開表示內存已成數據中心擴張的最大瓶頸；其二，廠商不再盲目擴產，轉而通過長期客戶協議鎖定利潤率；其三，各公司將利潤用於股票回購而非產能擴張，Sandisk 尚有 155 億美元回購額度，Seagate 推進 50 億美元回購計劃，Western Digital 今年新增 40 億美元回購授權。 Cramer 尤其看好 Micron，認爲其在 AI 數據中心需求不減的前提下仍有翻倍潛力，並已通過旗下慈善信託基金建倉。
Citrini 分析師 jukan 在 X 平臺發文表示，WSJ 稱，蘋果已與長鑫存儲就供應事宜展開初步洽談，計劃將其元件用於部分在中國銷售的設備。
“白毛股神”Serenity 在 X 平臺發文表示仍然看漲內存股，如 MU 和三星。此外，本週光子領域的焦點重新轉向了 AXT 和 Lumentum。光子行業此前已出現供應緊張跡象，Coherent（$COHR）和 Lumentum（$LITE）激光器未來兩年產能已經售罄，AAOI 此前財報也顯示光模塊需求持續強勁。同時，存儲板塊大量散戶出現恐慌性拋售。目前市場確實有一些變化，例如 Nvidia Rubin Ultra 對內存進行了優化；內存價格不再像此前預期那樣大幅上漲。但以當前價格來看：存儲企業的營業利潤相對於市值仍然非常誇張，尤其是在存儲需求正在結構化增長的情況下。而且明年的供需失衡可能會更加嚴重。Serenity 表示，市場往往會在一個行業下跌時陷入恐慌，並跟隨新的敘事。例如伊朗戰爭期間的氦氣、LNG 市場及 SpaceX 財報電話會上再次強調存儲供應緊張。很多時候：行業瓶頸和基本面並沒有發生明顯變化，但市場情緒已經發生巨大轉變。
Citrini 分析師 Jukan 在 X 平臺表示，市場短期內可能不得不採取“做空存儲、做多光模”（short memory, long optical）的交易策略，目前已有部分對沖基金開始佈局這一方向，主要基於三方面原因：第一，韓國槓桿 ETF 市場基本失去作用後，相關投資者正在面臨贖回壓力，可能帶來額外賣盤流出，槓桿產品資金鍊的調整仍可能對韓國存儲股形成壓力。第二，英偉達正在調整下一代 AI 系統架構，英偉達可能降低 Rubin Ultra 單機櫃 HBM 配置，並通過光互連技術連接多個機櫃，使 Rubin Ultra 集羣級性能保持領先，即便 HBM 削減源於供應限制而非需求下降，光通信仍可能成爲 AI 基礎設施的重要受益方向。第三，市場正在形成共識，認爲存儲價格可能在未來兩個季度內達到峯值。不過，長期來看仍然看好存儲行業發展，但短期觀點偏謹慎。AI 基礎設施投資正在從單純關注 HBM 存儲容量，逐漸轉向整個數據中心架構效率，包括高速光互連等環節，可能推動資金在短期內從存儲芯片轉向光通信領域。
據韓媒NATE報道，受AI投資熱潮推動，SK海力士股價近期經歷劇烈波動。在市場波動加劇背景下，SK集團發佈廣告引用創始人崔鍾賢（최종건）的名言：“絕望與希望是一枚硬幣的兩面，可以像翻轉手掌一樣將絕望轉變爲希望”並將其改寫爲“AI時代的不安與期待也是硬幣的兩面，可以將不安轉變爲期待”，藉此傳遞對AI產業長期發展的信心。 證券機構認爲，短期股價波動並未改變SK海力士的基本面，市場應關注其HBM4技術領先優勢以及長期供貨協議（LTA）帶來的業績穩定性。現代汽車證券分析師盧根昌（노근창）表示，預計SK海力士第三季度DRAM和NAND比特增長率分別達到9.7%和1.5%，隨着HBM4銷售貢獻擴大，即使長期供貨協議佔比提升，DRAM平均售價（ASP）仍有望環比上漲19.9%。針對中國長鑫存儲（CXMT）帶來的競爭擔憂，盧根昌認爲考慮到美國持續強化半導體設備出口限制，以及美光擴大美國本土投資，蘋果等主要企業採用中國存儲芯片的可能性較低。
Citrini 分析師 jukan 在 X 平臺發文表示，花旗下調美光評級，認爲未來四個季度 DRAM 和 NAND 價格漲幅將逐步放緩，價格預計將在明年 5 月所在季度，即第二財季見頂。花旗將 8 月、11 月、次年 2 月和 5 月季度的 DRAM 價格環比漲幅預期從 23%、10%、2%和 0%調整爲 23%、9%、2%和 0%，目前預計 2027 年下半年價格較上半年下降 3%。NAND 價格環比漲幅預期則從 29%、9%、1%和 0%調整爲 29%、7%、0%和-1%，2027 年下半年價格預期調整爲較上半年下降 5%。花旗表示，長鑫存儲和長江存儲擴產將推動 DRAM 和 NAND 價格下跌。美股上市存儲芯片股大幅下跌。
分析師 qinbafrank 披露，美國 ETF 管理機構 Roundhill 本週對 DRAM 主題基金進行重大調倉，減持三星電子，同步買入長鑫存儲，這也意味着中國存儲龍頭首次進入美股主流 DRAM 投資產品。本週二、週三，Roundhill 累計買入 6500 萬股長鑫存儲股票，長鑫存儲在 DRAM ETF 中的權重迅速升至 2.47%。與此同時，Roundhill 週一至週三每日減持約 100 萬股三星電子，三日合計出售 300 萬股。
鏈上分析師 Ai 姨在 X 平臺發文表示，美股首隻純存儲 ETF DRAM Memory ETF 收錄長鑫科技。該 ETF 於 2026 年 4 月 2 日成立，規模爲 245.5 億美元，回報率一度達 190%，經歷存儲板塊回撤後仍爲 161.5%。三星、美光、海力士合計權重超 73%，繼兆易創新後再次收錄 A 股存儲龍頭，長鑫權重爲 2.52%。長鑫科技自科創板上市後市值仍在 3 萬億元以上，並曾短時突破 4 萬億元，將從下週一開始結束無漲跌幅限制階段，進入常規交易階段。
“白毛股神”Serenity 發文對亞馬遜、Meta、谷歌和微軟最新財報中的資本開支指引進行總結稱，四大科技巨頭預計 2026 年合計資本開支將達到約 7200 億至 7450 億美元，高於此前市場預期的 6950 億至 7250 億美元。市場近期已經出現明顯去槓桿，以及散戶和機構投資者因保證金壓力導致的倉位清算，短期調整可能仍會持續，但從中長期來看很難對上游半導體企業和新型雲計算基礎設施保持看空態度。Serenity 還提出“瓶頸投資”邏輯，認爲當數萬億美元資本流入過去被視爲低價值商品的供應鏈環節時，例如存儲芯片、甚至能源基礎設施領域的相關企業可能迎來估值重塑。許多當前熱門 AI 產業鏈公司過去曾在電信週期中被市場忽視，但隨着 AI 基礎設施建設進入加速階段，資本開支流入其資產負債表，這些企業可能迎來重新定價。
據 Lookonchain 監測，長鑫存儲多空博弈仍在繼續。某巨鯨做空 280 萬枚長鑫存儲，價值 2000 萬美元，目前虧損 190 萬美元，並支付 104 萬美元資金費；另一某巨鯨做多 163 萬枚長鑫存儲，價值 1166 萬美元，目前盈利 85.3 萬美元，並賺取 60.6 萬美元資金費。
多家韓國媒體認爲，本輪股市急跌被解讀爲中國最大半導體企業長鑫科技上市帶來的衝擊。市場擔憂長鑫科技憑藉股市上市籌得的資金追趕三星電子和 SK 海力士等半導體企業，這一憂慮蔓延，導致投資心理受挫。據 CNBC 此前報道，Z-Ben Advisors 分析師彼得・亞歷山大認爲，參照鋼鐵、新能源汽車產業的發展路徑，長鑫科技將快速搶佔低端存儲芯片市場份額，並最終撼動三星電子、SK 海力士、美光科技在全球存儲行業的壟斷地位。（中新經緯）
Milk Road AI 分析師在 X 上發文就長鑫科技股價暴漲進行分析。其表示，過去不到一年，長鑫存儲的全球 DRAM 市佔率從不足 4% 提升至約 7.7%-8%，今年一季度營收同比增長 719% 至 508 億元人民幣。這一增長主要受益於三星、SK 海力士和美光將更多產能轉向 AI 服務器存儲（尤其 HBM），導致傳統 DDR5、LPDDR5 市場供應出現缺口，長鑫存儲藉機填補中低端 DRAM 需求。不過，長鑫存儲目前的產能遠不足以滿足全球需求，目前其月晶圓產能約 29 萬-32 萬片，低於三星約 63 萬片、SK 海力士約 50 萬片的規模。此外，美國對先進光刻設備的出口限制，也正在限制長鑫存儲進一步擴張速度。其認爲，長鑫存儲短期仍難進入 HBM 市場，因此不會改變 AI 存儲供需格局。三星、SK 海力士和美光仍將在 HBM、服務器 DRAM、LPDDR5X 等高利潤產品中保持優勢，全球存儲短缺週期或仍將持續。
據潮向研究，美銀 7月 24 日全球存儲器週報指出，7月 PC DRAM 合同價環比漲 15%-20%，三季度環比漲幅可達 30%-40%，遠超 TrendForce 預測的 13%-18%，現貨價格同步走強。韓國 7 月前 20 天半導體出口 221 億美元，同比增 181%，中國 6 月內存進口 320 億美元創歷史新高，同比增約 250%，長鑫存儲擴產影響仍有限。 美銀分析師預計谷歌 2026/2027 年資本開支分別達 2000 億/3000 億美元，較 2025年 910 億大幅提升，意味着 2027 年需比 2026 年多采購 50%以上的存儲芯片。谷歌 2026-2028 年每年現金及等價物超 500 億美元，對存儲芯片擴產是積極信號。三星電子 7月 30 日財報會預計宣佈大規模回購、提前派息及更樂觀的下半年/2027 年指引，美銀維持三星買入評級。
據 Lookonchain 監測，地址爲 0xf292 的神祕巨鯨持續增持 CXMT 空頭頭寸，目前持有約 144 萬枚 CXMT 的空頭倉位，價值約 918 萬美元，另有約 255 萬美元的 CXMT 限價做空訂單等待成交。當前清算價格爲 15.14 美元。
Citrini 分析師 Jukan 在 X 平臺發表示稱，市場流傳的一份摩根士丹利研究報告顯示，分析師 Shawn Kim 已轉向看空存儲芯片行業。報告認爲，NAND 模組廠庫存已升至約 13 周，需求明顯降溫，預計第四季度 NAND 價格漲幅將放緩至約 5%，現貨價格已連續兩個月下跌；同時，長鑫存儲（CXMT）正快速擴大產能，供需逐步趨於平衡。報告還指出，若 NAND 行情轉弱，DRAM 亦應同步看空，並預計 HBM 市場增速將受限於約 40%。Jukan 表示，其已向消息人士覈實該報告屬實，並稱 Shawn Kim 近期一直持類似觀點，這或是韓國 KOSPI 指數近幾周持續回調的原因之一。
據鏈上分析師 Ai 姨監測，某地址今晚八點半以均價 6.7815 美元做多 75.17 萬枚長鑫存儲，價值 494.5 萬美元，現浮虧 15.4 萬美元，是 Hyperliquid 長鑫存儲頭寸規模排名 TOP3 。此外，該地址還做多 404 萬美元海力士。
三星電子、SK 海力士和美光科技三大內存芯片公司股價本月均出現下跌，爲投資者重新佈局快速增長的存儲芯片行業提供機會。市場擔憂，當前由人工智能需求推動的內存芯片繁榮可能在未來幾年放緩，重演過去週期性行業中常見的“擴張—過剩—下行”走勢。分析人士指出，投資者若選擇在當前階段進入內存芯片領域，需要相信 AI 驅動的存儲需求增長能夠持續，並能夠抵禦行業週期波動帶來的風險。在投資選擇方面，一種策略是關注估值最低的公司。三星目前在三大內存芯片企業中估值相對較低，可能成爲部分投資者獲取存儲行業增長機會的選擇。（The Information）
Citrini 分析師 Jukan 在 X 平臺發文援引摩根士丹利分析師 Joseph Moore 觀點稱，數據中心領域的內存短缺問題仍在持續惡化，市場供應壓力暫無緩解跡象，內存供應緊張程度依然高於預期。目前，同規格內存產品價格較 2026 年第二季度預計水平相比，第三季度已上漲至少 25%，高於摩根士丹利及第三方機構此前預測。內存供應緊張問題可能在 2027 年和 2028 年繼續加劇，當前市場可用內存資源無法滿足人工智能產業快速增長的需求，短期內這一局面難以改變。AI 正在消耗大量 DRAM 產能，導致其他行業可獲得的內存資源減少，PC 和智能手機等消費電子產品生產已受到影響。AI 需求不僅受到內存短缺影響，內存本身正逐漸成爲限制 AI 發展的關鍵瓶頸之一，與數據中心空間和電力供應同等重要。此外，部分雲計算客戶正在支付高於預期的價格，以獲得提前六週交付的內存產品。市場認爲，隨着 AI 服務器建設持續擴張，高帶寬內存（HBM）及 DRAM 供應鏈壓力可能進一步延續。