新聞熱度趨勢
SK海力士考慮出售重慶工廠股權，估值約30億美元
存儲芯片製造商 SK 海力士正考慮出售中國重慶工廠股權，並研究引入外部投資者等多種方案，已着手選定顧問機構。若交易達成，該工廠企業價值預計約爲 30 億美元，潛在投資者包括中資基金和當地企業。
大摩：存儲芯片週期放緩但 AI 需求與 LTA 重塑長期價值
據潮向研究，摩根士丹利 8 月最新研報指出，三季度 DRAM 合約價環比漲幅從預期的 20%回落至 15%，存儲器模塊庫存升至 12.5 周，中國消費電子需求出現疲軟信號。但大摩認爲這只是正常週期放緩，不是趨勢轉折。四大雲廠商 capex 增速從 14%上調至 29%，AI 需求仍強勁。三星目標將 60%到 70%產能置於長期協議下，SK 海力士已與約 10 家客戶完成 LTA 談判，美光 16 份協議覆蓋約 1000 億美元最低收入。 大摩對三星和 SK 海力士維持超配，目標價分別爲 38.1 萬韓元和 260 萬韓元，隱含 74%到 84%上行空間。三星當前股價對應 2026 年預期市盈率約 5 倍，SK 海力士約 5.8 倍。大摩認爲 LTA 正在改變行業盈利可見度，市場尚未對 LTA 支持的盈利賦予溢價，若 LTAs 驗證下行保護作用，存儲器估值體系可能重塑。
長鑫存儲擬在北京建設第二座 DRAM 晶圓廠，正洽談融資支持
據路透社報道，知情人士透露，長鑫存儲正考慮在北京亦莊建設第二座 12 英寸 DRAM 晶圓廠，並與北京經開區及多家國有科技企業洽談融資支持。目前談判仍處於早期階段，融資規模和結構尚未最終確定。擬建項目或落地於公司現有北京廠區，但產能規劃及總投資金額暫未披露。
Serenity：科技4巨頭年內開支或高於預期，存儲芯片等瓶頸資產將迎估值重塑
“白毛股神”Serenity 發文對亞馬遜、Meta、谷歌和微軟最新財報中的資本開支指引進行總結稱，四大科技巨頭預計 2026 年合計資本開支將達到約 7200 億至 7450 億美元，高於此前市場預期的 6950 億至 7250 億美元。市場近期已經出現明顯去槓桿，以及散戶和機構投資者因保證金壓力導致的倉位清算，短期調整可能仍會持續，但從中長期來看很難對上游半導體企業和新型雲計算基礎設施保持看空態度。Serenity 還提出“瓶頸投資”邏輯，認爲當數萬億美元資本流入過去被視爲低價值商品的供應鏈環節時，例如存儲芯片、甚至能源基礎設施領域的相關企業可能迎來估值重塑。許多當前熱門 AI 產業鏈公司過去曾在電信週期中被市場忽視，但隨着 AI 基礎設施建設進入加速階段，資本開支流入其資產負債表，這些企業可能迎來重新定價。
孔劍平間接持有長鑫科技約1898萬股，對應市值約9.4億元
據公開資料及相關披露文件，孔劍平通過易方暢達基金（認繳 2134 萬元）間接持有長鑫科技約 1898 萬股。按當日開盤價 49.5 元計算，對應持股市值約 9.4 億元，按相關說法測算回報約爲 44 倍。孔劍平表示，其於 2020 年投資長鑫時公司估值尚不足 200 億元，目前已超過 3 萬億元。
銀行“潛伏”長鑫科技：股權升值部分約佔中農工建等6大行2025年營收0.3%-10%
長鑫科技上市首日“登基”A 股股王，也爲間接入股的五大國有銀行帶來了可觀的賬面增值收益。據悉，五家國有大行主要通過旗下的金融資產投資公司（AIC）參與了長鑫科技的投資：農業銀行通過旗下農銀投資直接持股約 0.95%，爲銀行系 AIC 中最大投資方；建設銀行通過建信投資直接持股約 0.83%，同時還通過建銀國際、建信領航間接持有部分股權，穿透後合計持股約 1.7%，在五家國有行中比例最高；工商銀行通過工銀投資旗下工融金投持股約 0.64%；交通銀行通過交銀金融持股約 0.38%；中國銀行通過中銀資產持股約 0.38%。分析稱，銀行大概率將持有的長鑫股權置於 FVTPL 賬戶（即以公允價值計量且其變動計入當期損益的金融資產賬戶）下，假設以上市前最後一輪增資價格 2.63 元/股爲基準，各家銀行賬面金額分別爲建行 24.6 億元、農行 15 億元、工行 10.1 億元、中行和交行各 6 億元、招行 4.6 億元，在長鑫科技上市後總市值 1-7 萬億元的不同情景模擬下，股權升值部分約佔六家銀行 2025 年營收的 0.3%-10%。（財新網）
美國 ITC 發佈對外國製造的半導體器件及其下游產品和組件的 337 部分終裁
據新浪財經報道，美國國際貿易委員會 (ITC) 投票決定對特定動態隨機存取存儲器 (DRAM) 設備及其下游產品和組件 (II)(Certain Dynamic Random Access Memory (DRAM) Devices, Products Containing the Same, and Components Thereof (II))啓動 337 調查(調查編碼：337-TA-1511)。主張對美出口、在美進口和在美銷售的該產品違反了美國 337 條款(侵權美國註冊專利號 12,646,537、12,650,937 )，請求美國 ITC 發佈有限排除令、禁止令。 韓國 Samsung Electronics Co., Ltd., Suwon, Republic of Korea、美國 Samsung Electronics America, Inc., Plano, Texas、美國 Samsung Semiconductor, Inc., Plano, Texas、美國 Google LLC, Mountain View, California、美國 Super Mi
三星、SK 海力士及美光遭美國集體訴訟，被指借 HBM 轉型操縱內存價格
據澎湃新聞報道，14 名個人消費者及三家小型企業於 6月 25 日在美國加州北區聯邦法院提起反壟斷集體訴訟，指控三星、SK 海力士和美光自 2022 年起串通操縱 DRAM 供應與定價，導致過去四年內存價格上漲約 700%。原告稱三家公司以向高帶寬內存（HBM）轉型爲藉口，人爲削減 DDR3和 DDR4 傳統內存供應，無視"所有經濟和商業邏輯"。訴訟還援引蘋果近期上調 iPad及 Mac 售價，作爲供應限制波及下游產品的佐證。若勝訴，被告需支付三倍賠償金，且訴訟範圍或將擴大至所有采購含 DRAM 產品的消費者與企業。 值得注意的是，三星和 SK 海力士此前曾因本世紀初的價格操縱行爲在美國被判罰款，三星更於 2005 年被處以 3 億美元刑事罰款。投行 Jefferies 預計，內存價格高位短期難以逆轉，2026 年三四季度仍將環比上漲 30%至 50%，最早或需至 2028 年方可出現明顯回落。
SK海力士擬在日本宮城縣投資數萬億韓元建設存儲芯片晶圓廠
Citrini 分析師 jukan 在 X 平臺發文表示，據知情人士透露，SK 海力士正推進投資數萬億韓元在日本東北部宮城縣建設存儲芯片晶圓廠。若計劃落地，這將成爲韓國半導體企業在日本設立本地製造基地的首筆大規模投資。隨着對日投資推進，美國預計也將加大對韓國企業赴美擴大存儲芯片產能的壓力，進一步增加其未來投資配置決策的複雜性。據《韓民族日報》20 日報道，SK hynix 正尋求在日本本州東北地區的宮城縣建設存儲芯片晶圓廠。一名商界人士表示：“據我瞭解，SK 集團董事長 Chey Tae-won 近期曾親自到訪該地區。”宮城縣與九州、北海道並列爲日本政府計劃發展爲主要半導體產業中心的三個地區之一。據報道，該項目投資規模預計達數萬億韓元。與韓國龍仁及湖南地區國內半導體集羣數百百萬億韓元的投資規模相比，日本工廠將是規模相對較小的生產基地。宮城縣晶圓廠將作爲新增的海外製造基地，SK hynix 仍將按原計劃推進龍仁及湖南半導體集羣的國內投資。該計劃似乎旨在全球存儲芯片持續短缺的背景下，主動擴大產能。若計劃落地，SK hynix 將成爲繼美國美光和中國臺灣 TSMC 之後，第三家在日本運營半導體制造設施的外國半導體企業。三星電子目前僅在橫濱運營先進半導體封裝研究中心。不過，該投資也面臨風險。美國一直在施壓韓國政府及韓國企業赴美國本土投資建設存儲芯片晶圓廠。如果 SK hynix 推進對日投資，華盛頓可能進一步要求其在美國擴大本地產能。此外，SK hynix 還需應對韓國國內政治不確定性，以及圍繞半導體等戰略性產業對日投資的社會敏感性。
SK海力士光互聯內存路線圖：本地HBM連接更大共享內存池
Citrini 分析師 jukan 在 X 平臺發文表示，乍看之下，SK 海力士的 CPO 技術路線圖似乎一條軸線指向 HBM，另一條軸線指向光通信。但其底層邏輯是，AI 競爭正從單個芯片的性能轉向整個系統的數據傳輸效率。過去數年，HBM 解決了 GPU 無法足夠快速接收數據的問題。通過垂直堆疊多層 DRAM 並將其放置在 GPU 旁邊，HBM 能夠提供極高帶寬。然而，隨着每個 GPU 周圍放置更多 HBM 堆疊，封裝面積、中介層邊緣空間、電力供應和散熱能力都在接近上限。與此同時，AI 集羣已經擴展至數千甚至數萬枚 GPU。無論單個 GPU 的計算速度多快，如果數據無法在 GPU 與機架之間高效傳輸，整個系統仍將受到“帶寬牆”限制。SK hynix 的設想是將光互連擴展至內存。低延遲、高帶寬的本地 HBM 仍將置於 GPU 旁邊，同時通過光纖將其連接至更大的共享內存池。這樣可以避免將全部內存容量限制在單個 GPU 封裝內，並實現機架層面的橫向擴展。從投資角度看，這並不意味着 HBM 近期將被替代。更可能出現的是新的內存層級：訪問最頻繁的數據仍保存在本地 HBM 中，而更大規模、訪問頻率較低的數據則存儲在光互聯內存池、HBF 或 SSD 中。SK hynix 正在重新定位自身業務，從銷售標準化內存芯片，轉向與客戶共同設計 HBM、控制器、先進封裝以及系統級內存架構。如果該路線圖得以實現，SK hynix 可能增強客戶黏性、提高產品附加值，並提升獲得長期合約的能力；同時，公司也可能更主動地應對未來內存解耦對傳統 HBM 商業模式造成的潛在影響。在供應鏈層面，長期可能受益的領域包括硅光子芯片、光引擎、激光器、光纖耦合技術以及先進 2.5D 和 3D 封裝。不過，該概念目前仍處於極早期階段，本質上仍只是一份路線圖。jukan 表示，其今日採訪的一位參與 TSMC 封裝業務的人士完全不瞭解這一計劃。
Jim Cramer：AI 驅動內存股超級週期，四大存儲股仍有上漲空間
據 CNBC 報道，知名投資人 Jim Cramer 表示，AI 熱潮已從根本上改變了內存行業的週期性規律，儘管 Sandisk 年內已暴漲 653%、Seagate 漲261%、Micron 漲254%、Western Digital 漲211%，但現在入場仍不算晚。 Cramer 指出，此輪週期與歷史不同的核心原因有三：其一，內存供應極度短缺，馬斯克曾公開表示內存已成數據中心擴張的最大瓶頸；其二，廠商不再盲目擴產，轉而通過長期客戶協議鎖定利潤率；其三，各公司將利潤用於股票回購而非產能擴張，Sandisk 尚有 155 億美元回購額度，Seagate 推進 50 億美元回購計劃，Western Digital 今年新增 40 億美元回購授權。 Cramer 尤其看好 Micron，認爲其在 AI 數據中心需求不減的前提下仍有翻倍潛力，並已通過旗下慈善信託基金建倉。
蘋果與長鑫存儲就供應事宜展開初步洽談，擬在部分中國銷售設備中使用其元件
Citrini 分析師 jukan 在 X 平臺發文表示，WSJ 稱，蘋果已與長鑫存儲就供應事宜展開初步洽談，計劃將其元件用於部分在中國銷售的設備。
Serenity：仍看漲內存股，光子板塊焦點再次轉向AXTI和LITE
“白毛股神”Serenity 在 X 平臺發文表示仍然看漲內存股，如 MU 和三星。此外，本週光子領域的焦點重新轉向了 AXT 和 Lumentum。光子行業此前已出現供應緊張跡象，Coherent（$COHR）和 Lumentum（$LITE）激光器未來兩年產能已經售罄，AAOI 此前財報也顯示光模塊需求持續強勁。同時，存儲板塊大量散戶出現恐慌性拋售。目前市場確實有一些變化，例如 Nvidia Rubin Ultra 對內存進行了優化；內存價格不再像此前預期那樣大幅上漲。但以當前價格來看：存儲企業的營業利潤相對於市值仍然非常誇張，尤其是在存儲需求正在結構化增長的情況下。而且明年的供需失衡可能會更加嚴重。Serenity 表示，市場往往會在一個行業下跌時陷入恐慌，並跟隨新的敘事。例如伊朗戰爭期間的氦氣、LNG 市場及 SpaceX 財報電話會上再次強調存儲供應緊張。很多時候：行業瓶頸和基本面並沒有發生明顯變化，但市場情緒已經發生巨大轉變。
Citrini分析師：短期或迎“賣存儲、買光模”交易，長期仍看好存儲行業
Citrini 分析師 Jukan 在 X 平臺表示，市場短期內可能不得不採取“做空存儲、做多光模”（short memory, long optical）的交易策略，目前已有部分對沖基金開始佈局這一方向，主要基於三方面原因：第一，韓國槓桿 ETF 市場基本失去作用後，相關投資者正在面臨贖回壓力，可能帶來額外賣盤流出，槓桿產品資金鍊的調整仍可能對韓國存儲股形成壓力。第二，英偉達正在調整下一代 AI 系統架構，英偉達可能降低 Rubin Ultra 單機櫃 HBM 配置，並通過光互連技術連接多個機櫃，使 Rubin Ultra 集羣級性能保持領先，即便 HBM 削減源於供應限制而非需求下降，光通信仍可能成爲 AI 基礎設施的重要受益方向。第三，市場正在形成共識，認爲存儲價格可能在未來兩個季度內達到峯值。不過，長期來看仍然看好存儲行業發展，但短期觀點偏謹慎。AI 基礎設施投資正在從單純關注 HBM 存儲容量，逐漸轉向整個數據中心架構效率，包括高速光互連等環節，可能推動資金在短期內從存儲芯片轉向光通信領域。
Bitget股票合約已上線長鑫存儲（CXMT）
據官方公告，Bitget 股票永續合約已上線 CXMT（長鑫存儲）。該合約以 USDT 結算，支持最高 20 倍槓桿及 7×24 小時交易。截至目前，Bitget 共支持 273 只股票合約標的。
幣安合約將上線多個 TradFi USDT 永續合約
據官方公告，幣安合約平臺將於 2026年 8月 17 日至 18 日陸續上線 6 個傳統金融標的 USDT 永續合約，具體如下： • GDXUSDT（標的：VanEck 黃金礦業 ETF）— 8月 17日 13:30 UTC • NETUSDT（標的：Cloudflare A 類普通股）— 8月 17日 13:35 UTC • VSTUSDT（標的：Vistra Corp 普通股）— 8月 17日 13:40 UTC • SHOPUSDT（標的：Shopify A 類股）— 8月 17日 13:45 UTC • LYTEUSDT（標的：Roundhill 光子與光學 ETF）— 8月 17日 13:50 UTC • CXMTUSDT（標的：長鑫存儲，上交所 688825）— 8月 18日 05:00 UTC 上述合約均支持最高 20 倍槓桿、24/7 全天候交易及多資產模式，資金費率每 8 小時結算一次，上限爲±2%。
SK海力士股價震盪後仍被機構看好：HBM4與長期供貨協議支撐AI時代增長
據韓媒NATE報道，受AI投資熱潮推動，SK海力士股價近期經歷劇烈波動。在市場波動加劇背景下，SK集團發佈廣告引用創始人崔鍾賢（최종건）的名言：“絕望與希望是一枚硬幣的兩面，可以像翻轉手掌一樣將絕望轉變爲希望”並將其改寫爲“AI時代的不安與期待也是硬幣的兩面，可以將不安轉變爲期待”，藉此傳遞對AI產業長期發展的信心。 證券機構認爲，短期股價波動並未改變SK海力士的基本面，市場應關注其HBM4技術領先優勢以及長期供貨協議（LTA）帶來的業績穩定性。現代汽車證券分析師盧根昌（노근창）表示，預計SK海力士第三季度DRAM和NAND比特增長率分別達到9.7%和1.5%，隨着HBM4銷售貢獻擴大，即使長期供貨協議佔比提升，DRAM平均售價（ASP）仍有望環比上漲19.9%。針對中國長鑫存儲（CXMT）帶來的競爭擔憂，盧根昌認爲考慮到美國持續強化半導體設備出口限制，以及美光擴大美國本土投資，蘋果等主要企業採用中國存儲芯片的可能性較低。
大摩：存儲芯片週期放緩但 AI 需求與 LTA 重塑長期價值
據潮向研究，摩根士丹利 8 月最新研報指出，三季度 DRAM 合約價環比漲幅從預期的 20%回落至 15%，存儲器模塊庫存升至 12.5 周，中國消費電子需求出現疲軟信號。但大摩認爲這只是正常週期放緩，不是趨勢轉折。四大雲廠商 capex 增速從 14%上調至 29%，AI 需求仍強勁。三星目標將 60%到 70%產能置於長期協議下，SK 海力士已與約 10 家客戶完成 LTA 談判，美光 16 份協議覆蓋約 1000 億美元最低收入。 大摩對三星和 SK 海力士維持超配，目標價分別爲 38.1 萬韓元和 260 萬韓元，隱含 74%到 84%上行空間。三星當前股價對應 2026 年預期市盈率約 5 倍，SK 海力士約 5.8 倍。大摩認爲 LTA 正在改變行業盈利可見度，市場尚未對 LTA 支持的盈利賦予溢價，若 LTAs 驗證下行保護作用，存儲器估值體系可能重塑。
英偉達考慮調降 Rubin Ultra GPU 配置，應對 HBM 內存短缺
英偉達爲應對 HBM 內存供應短缺，考慮降低新一代 Rubin Ultra GPU 的配置。據 The Information 援引知情人士消息，英偉達內部在過去數週至少測試了 3 種低 HBM 配置的 Rubin Ultra GPU，所需 HBM 容量低於最初公佈規格。可能的降級路徑包括從 HBM4E 下調至 HBM4、從 12Hi HBM 下調至 8Hi HBM。此舉旨在在供應約束下推進產品發佈計劃。
SK海力士與閃迪公開HBF首個標準規格，容量最高512GB
SK 海力士與閃迪公開基於 NAND 閃存的下一代存儲技術高帶寬閃存（HBF）首個標準規格。SK 海力士於 8 月 4 日至 6 日在美國加州聖克拉拉舉行的 FMS 2026 上提出該規格。HBF 通過類似高帶寬內存（HBM）的垂直堆疊方式堆疊 NAND 閃存，以提升容量和數據傳輸速度。該規格按 8 層和 16 層 NAND die 兩種堆疊配置定義，容量最高 512GB，帶寬分三檔，支持每秒 0.4TB 至 3.0TB。HBF 與處理器的連接方式採用行業標準 UCIe，可連接 GPU、CPU 等不同類型處理器。該規格通過開放數據中心技術協作組織 OCP 公開，HBF 聯盟目前包括 Google 和 AI 半導體公司 Tenstorrent。SK 海力士還將在本次活動首次公開開發中的第 10 代（V10）375 層 4D NAND 晶圓和產品，並計劃明年初啓動採用該技術的高性能、高容量企業級 SSD（eSSD）量產。
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SK海力士擬在日本宮城縣投資數萬億韓元建設存儲芯片晶圓廠
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SK海力士光互聯內存路線圖：本地HBM連接更大共享內存池
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Jim Cramer：AI 驅動內存股超級週期，四大存儲股仍有上漲空間
據 CNBC 報道，知名投資人 Jim Cramer 表示，AI 熱潮已從根本上改變了內存行業的週期性規律，儘管 Sandisk 年內已暴漲 653%、Seagate 漲261%、Micron 漲254%、Western Digital 漲211%，但現在入場仍不算晚。 Cramer 指出，此輪週期與歷史不同的核心原因有三：其一，內存供應極度短缺，馬斯克曾公開表示內存已成數據中心擴張的最大瓶頸；其二，廠商不再盲目擴產，轉而通過長期客戶協議鎖定利潤率；其三，各公司將利潤用於股票回購而非產能擴張，Sandisk 尚有 155 億美元回購額度，Seagate 推進 50 億美元回購計劃，Western Digital 今年新增 40 億美元回購授權。 Cramer 尤其看好 Micron，認爲其在 AI 數據中心需求不減的前提下仍有翻倍潛力，並已通過旗下慈善信託基金建倉。
Bitget股票合約已上線長鑫存儲（CXMT）
據官方公告，Bitget 股票永續合約已上線 CXMT（長鑫存儲）。該合約以 USDT 結算，支持最高 20 倍槓桿及 7×24 小時交易。截至目前，Bitget 共支持 273 只股票合約標的。
大摩：傳統存儲沒有長協未必是壞事，DDR4 和 SLC NAND 正處漲價最強週期
據潮向研究，摩根士丹利 8月 14 日研報指出，DDR4、SLC NAND和 NOR Flash 三大傳統存儲產品基本面持續改善，供需缺口擴大、定價權增強，主流廠商退出 DDR4 供應的速度比預期更快。大摩預計 DDR4 3Q26 漲價 50%，4Q26 再漲 10%以上；SLC NAND 3Q26和 4Q26 價格漲幅均超 50%，供給緊張可能延續至 2027 年；NOR Flash 4Q26 還將有一輪上調，動能可能延續至 1H27。 研報判斷，市場對傳統存儲週期的可持續性定價過於悲觀。大摩將旺宏、華邦電、兆易創新、力積電盈利預測全面上調，AP Memory因 SiCap 業務列爲首選標的，偏好排序爲 AP Memory > 兆易創新 > 旺宏 > 華邦電 > 力積電 > 南亞科。旺宏 2026至 2028 年每股收益分別上調 139%、144%和 147%；兆易創新分別上調 108%、49%和 48%。大摩認爲，沒有 LTAs（長期協議）意味着沒有價格上限的束縛，當供給缺口擴大、定價權掌握在供應商手中時，傳統存儲廠商的利潤彈性反而更大。
幣安合約將上線多個 TradFi USDT 永續合約
據官方公告，幣安合約平臺將於 2026年 8月 17 日至 18 日陸續上線 6 個傳統金融標的 USDT 永續合約，具體如下： • GDXUSDT（標的：VanEck 黃金礦業 ETF）— 8月 17日 13:30 UTC • NETUSDT（標的：Cloudflare A 類普通股）— 8月 17日 13:35 UTC • VSTUSDT（標的：Vistra Corp 普通股）— 8月 17日 13:40 UTC • SHOPUSDT（標的：Shopify A 類股）— 8月 17日 13:45 UTC • LYTEUSDT（標的：Roundhill 光子與光學 ETF）— 8月 17日 13:50 UTC • CXMTUSDT（標的：長鑫存儲，上交所 688825）— 8月 18日 05:00 UTC 上述合約均支持最高 20 倍槓桿、24/7 全天候交易及多資產模式，資金費率每 8 小時結算一次，上限爲±2%。