SK海力士與閃迪公開HBF首個標準規格，容量最高512GB
SK 海力士與閃迪公開基於 NAND 閃存的下一代存儲技術高帶寬閃存（HBF）首個標準規格。SK 海力士於 8 月 4 日至 6 日在美國加州聖克拉拉舉行的 FMS 2026 上提出該規格。HBF 通過類似高帶寬內存（HBM）的垂直堆疊方式堆疊 NAND 閃存，以提升容量和數據傳輸速度。該規格按 8 層和 16 層 NAND die 兩種堆疊配置定義，容量最高 512GB，帶寬分三檔，支持每秒 0.4TB 至 3.0TB。HBF 與處理器的連接方式採用行業標準 UCIe，可連接 GPU、CPU 等不同類型處理器。該規格通過開放數據中心技術協作組織 OCP 公開，HBF 聯盟目前包括 Google 和 AI 半導體公司 Tenstorrent。SK 海力士還將在本次活動首次公開開發中的第 10 代（V10）375 層 4D NAND 晶圓和產品，並計劃明年初啓動採用該技術的高性能、高容量企業級 SSD（eSSD）量產。
