大摩：傳統存儲沒有長協未必是壞事，DDR4 和 SLC NAND 正處漲價最強週期
據潮向研究，摩根士丹利 8月 14 日研報指出，DDR4、SLC NAND和 NOR Flash 三大傳統存儲產品基本面持續改善，供需缺口擴大、定價權增強，主流廠商退出 DDR4 供應的速度比預期更快。大摩預計 DDR4 3Q26 漲價 50%，4Q26 再漲 10%以上；SLC NAND 3Q26和 4Q26 價格漲幅均超 50%，供給緊張可能延續至 2027 年；NOR Flash 4Q26 還將有一輪上調，動能可能延續至 1H27。
研報判斷，市場對傳統存儲週期的可持續性定價過於悲觀。大摩將旺宏、華邦電、兆易創新、力積電盈利預測全面上調，AP Memory因 SiCap 業務列爲首選標的，偏好排序爲 AP Memory > 兆易創新 > 旺宏 > 華邦電 > 力積電 > 南亞科。旺宏 2026至 2028 年每股收益分別上調 139%、144%和 147%；兆易創新分別上調 108%、49%和 48%。大摩認爲，沒有 LTAs（長期協議）意味着沒有價格上限的束縛，當供給缺口擴大、定價權掌握在供應商手中時，傳統存儲廠商的利潤彈性反而更大。
