三星將與臺積電共同生產英偉達下一代定製 HBM，基底芯片採用 3nm 工藝
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據《首爾經濟》報道，三星電子在開發英偉達下一代定製高帶寬內存 NVHBM 時，將採用臺積電 3nm 工藝生產核心組件 Base Die。英偉達同時要求三星、SK 海力士和美光統一採用臺積電 3nm Base Die，並將 Core Die 統一爲第六代 DRAM 1c 工藝，以提升不同供應商產品的一致性。
